2020年8月28日，隨著近年來芯片行業(yè)的發(fā)展，大眾對于光刻機的關(guān)注度越來越高。媒體和廠商也更加頻繁地使用“7nm光刻機”這樣的關(guān)鍵詞來進(jìn)行宣傳。但事實是：從來就沒有什么救世主，也沒有7nm光刻機。

7nm只是一種工藝的代號，它和光刻機本身是不掛鉤的。按照一般人的理解7nm光刻機就是指能制作7nm工藝的光刻機，這個命名方式乍看起來很合理，實際上漏洞百出。

截取自中芯國際招股書

舉個例子，在中芯國際財報中，公司透露了會將部分生產(chǎn)28納米芯片的設(shè)備轉(zhuǎn)用于生產(chǎn)其它制程產(chǎn)品。假設(shè)中芯國際用于生產(chǎn)28納米芯片的光刻機將來用于生產(chǎn)45納米芯片，那么這臺光刻機原來應(yīng)該叫“28nm”光刻機，就因為它生產(chǎn)了45nm芯片，那么他就應(yīng)該變成更為落后的“45nm”光刻機了？那如果將來它再回來生產(chǎn)28納米芯片，那么它就又升級成了“28nm”光刻機？但整個過程中光刻機的本質(zhì)并沒有改變啊。

武漢弘芯不是什么救世主

近期網(wǎng)絡(luò)上所謂關(guān)于武漢弘芯的“7nm”光刻機抵押在銀行的消息，鬧得沸沸揚揚。但這真的是“7nm”光刻機嗎？

武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（HSMC）于2017年11月成立，總部位于中國武漢臨空港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。公司匯聚了來自全球半導(dǎo)體晶圓研發(fā)與制造領(lǐng)域的專家團(tuán)隊，擁有豐富的14納米及7納米以下節(jié)點FinFET先進(jìn)邏輯工藝與晶圓級先進(jìn)封裝技術(shù)經(jīng)驗。

值得說明的是，14納米及7納米的相關(guān)工藝經(jīng)驗來武漢弘芯中來自臺積電等公司的“前員工”，并不是指公司已經(jīng)具備了相關(guān)的生產(chǎn)技術(shù)。

截取自武漢弘芯官網(wǎng)

在官網(wǎng)的項目時程中，武漢弘芯14納米工藝大概會在2020年下半年開始測試流片，其7納米工藝在2020年開始研發(fā)。而中芯國際在2019年時，其14納米工藝已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。

另外關(guān)于武漢弘芯所謂的“7nm”光刻機，根據(jù)相關(guān)消息此光刻機已被抵押。

數(shù)據(jù)來自天眼查

根據(jù)天眼查上的數(shù)據(jù)，我們可知武漢弘芯所謂的“7nm”光刻機實際型號為TWINSCAN NXT:1980Di。2019年12月22日，武漢弘芯半導(dǎo)體舉行了首臺高端光刻機設(shè)備進(jìn)廠儀式，就是為了迎接這款光刻機。

數(shù)據(jù)來自ASML

從ASML官網(wǎng)的數(shù)據(jù)中我們可以看到，這款2015年推出的光刻機光源波長為193nm，屬于DUV光刻機。且從官網(wǎng)的型號表上可以看到，這款光刻機并非“最優(yōu)秀”的DUV光刻機。

ASML官網(wǎng)上的一款EUV光刻機

要是想制造工藝尺寸更小的芯片，換光源是比較直接且立竿見影的辦法。因此國外為了阻礙我國尖端芯片制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，極力限制我國進(jìn)口波長大致為13.5nm的EUV光刻機，但對于技術(shù)相對落后的DUV光刻機限制并不大。2020年3月4日，中芯國際從荷蘭ASML進(jìn)口的一臺大型光刻機已順利進(jìn)入深圳廠區(qū)，據(jù)悉此臺光刻機即為DUV光刻機。

關(guān)于武漢弘芯所謂的“7nm”光刻機的命名問題，這款光刻機是否真的能做到7nm工藝呢？目前已有一家中國企業(yè)可以用同樣水平的DUV光刻機制造7nm工藝的芯片，這家中國企業(yè)名為：臺灣積體電路制造股份有限公司。其中臺積電第一代7nm工藝N7和第二代7nm工藝N7P均采用了DUV光刻機制造，但是為了更好的性能，其第三代7nm工藝N7+則采用了更為先進(jìn)的EUV光刻機制造。

在這其中其實還有一些偷換概念的問題，舉個例子：文森特·梵高是一名著名的畫家，他的畫作價格不菲，甚至有些畫作價值過億。不過梵高早年窮困潦倒，使用的畫筆也很普通，但這并不影響梵高用普通的畫筆創(chuàng)作出諸多優(yōu)秀的畫作。那么這時如果有一個人買到了梵高同款的普通畫筆，他就能成為梵高嗎？他就能創(chuàng)作出價值過億的畫作嗎？

光刻機只是半導(dǎo)體制造工藝的開始，武漢弘芯已經(jīng)有了臺積電同款“畫筆”，那么武漢弘芯能否做出同款的“N7”和“N7P”呢？

偷換概念的“7nm”光刻機：業(yè)界原本的分類

業(yè)界對于光刻機主要是根據(jù)其使用光源進(jìn)行命名和分類。比如現(xiàn)在處于尖端地位的EUV（extreme ultra violet）光刻機，這類光刻機使用了極紫外光作為光源。目前業(yè)界的EUV光刻機大多使用的是波長為13.5nm左右的極紫外光。

另一種業(yè)界比較主流的光刻機就是DUV（deep ultra violet）光刻機了，這類光刻機使用的是深紫外光作為光源。目前業(yè)界的DUV光刻機大多使用的是波長為193nm的氟化氬準(zhǔn)分子激光（ArF excimer laser）或者波長為248nm的氟化氪準(zhǔn)分子激光（KrF excimer laser）作為光源。

光刻機只是個開始

相信大家都注意到了，市面上主流的DUV光刻機光源的波長只有193nm，而現(xiàn)在主流的芯片制造工藝都已經(jīng)到了14nm。如果要用193nm的光源刻出更細(xì)的線條，這還需要更多的技術(shù)支持。

我們可以通過這個公式來大致看一下193nm的光源能刻出的工藝分辨率，其中：

R，分辨率，比如90nm、65nm、45nm之類。

λ，激光的波長，現(xiàn)在業(yè)界已經(jīng)從248nm過渡到了現(xiàn)在最常用的193nm，還有更為先進(jìn)的13.5nm。

n，為介質(zhì)折射率，空氣約1，水約1.44。

NA，為數(shù)值孔徑，和鏡子大小，以及距離有關(guān)。

k1，系統(tǒng)常數(shù)，代指掩膜等相關(guān)技術(shù)。

所以通過這個公式我們可以大致計算出，在一般情況下193nm波長的光源分辨率也就能做到60nm左右（相關(guān)系數(shù)取一般值，此結(jié)果僅供參考）。那么接下來的問題就是如何突破這個所謂的“一般情況”了。

對此業(yè)界大體有兩種解決辦法,浸潤式光刻和多重曝光。

浸入式光刻技術(shù)是在2000年初首先由麻省理工學(xué)院林肯實驗室亞微米技術(shù)小組提出，他們認(rèn)為在傳統(tǒng)光刻機的光學(xué)鏡頭與晶圓之間的介質(zhì)可用水替代空氣，以縮短曝光光源波長和增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而提高分辨率。水與空氣的折射率之比為1.44:1如果用水替代空氣，相當(dāng)于193nm波長縮短到134nm,如果采用比水介質(zhì)反射率更高的其液體，可獲得比134nm更短的波長。

簡單來說就是運用了惠更斯原理，讓光從一種介質(zhì)折射進(jìn)入另一種介質(zhì)，那么在分界點相當(dāng)于一個波源，向外發(fā)散子波。也就是說在這個過程中光的波長發(fā)生了改變，通過這種方式我們獲得了一個波長更小的光源。

一種多重曝光的流程示意圖

另外一種技術(shù)就是多重曝光了，在圖中最上面是已經(jīng)經(jīng)過一次Patterning的保護(hù)層（綠色，如SiN）再加上一層光刻膠（藍(lán)色）。光刻膠在新的Mask下被刻出另一組凹槽（中間）。最后光刻膠層被去掉，留下可以進(jìn)一步蝕刻的結(jié)構(gòu)。

簡單來說就是將本應(yīng)一次曝光的圖形分成兩次甚至更多次曝光來制作。比如要刻幾條等間距的線，單次曝光可能只能刻出間距100nm的線，那么這時候稍微再移動大概50nm再刻一次，這時候線與線的間距就變成50nm了。

當(dāng)然除了浸潤式光刻和多重曝光，還有很多技術(shù)可以幫助進(jìn)一步減小半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵尺寸。但是比起用各種技術(shù)優(yōu)化，直接更換光源會有較大的提升，即從波長為193nm的DUV光刻機換成波長大致為13.5nm的EUV光刻機。

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