兆易創(chuàng)新靠長鑫DRAM拓展市場 代價呢？

2021年4月25日，近日兆易創(chuàng)新發(fā)布了2020年年度報告。報告中可以看出兆易創(chuàng)新的主營業(yè)務毛利率在降低、在境外地區(qū)的主營業(yè)務毛利率也在降低。

而兆易創(chuàng)新則表示毛利率下降主要是受DRAM產(chǎn)品業(yè)務毛利率低的影響。

兆易創(chuàng)新宣稱自有品牌DRAM產(chǎn)品預計2021年上半年推出，主要面向消費類、工業(yè)控制類及車規(guī)等利基市場。那么兆易創(chuàng)新能否靠此次推出的 DRAM 產(chǎn)品改變毛利率下降的局面呢？

筆者認為不行：

在存儲芯片領域，兆易創(chuàng)新如果依靠NOR Flash提升毛利率效果有限，而目前NAND Flash難以與大廠抗衡，只能把希望放在DRAM產(chǎn)品上。

在DRAM產(chǎn)品方面， 兆易創(chuàng)新 目前是一個“代理商”的角色，出售的是合肥長鑫的DRAM。在芯片行業(yè)當“代理商”毛利率低。

根據(jù)公告可以推測，今年兆易創(chuàng)新沒打算制造自己設計的DRAM芯片。

如果今年不能推出自己設計的DRAM芯片， “貼牌”或者“買芯片做模組”毛利率也不是很高，整體毛利率很難提升。

世界第三的NOR Flash廠商 兆易創(chuàng)新

2020年第一季度，旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新在NOR Flash全球市場占有率排名前三，市場份額分別為26.2%、24.5%、18.8%。

兆易創(chuàng)新的現(xiàn)有業(yè)務布局分為存儲（Flash、DRAM）、MCU和傳感器，其中存儲芯片營收占比最高。而NOR Flash就屬于一種存儲芯片。

數(shù)據(jù)來自網(wǎng)絡

NOR Flash的優(yōu)勢：應用范圍非常廣，比如汽車電子、IoT、人工智能、路由器、機頂盒、手機、PC、VR、5G等。

NOR Flash的劣勢：單價低，一個一般也就幾塊錢。而且一般情況下，一個設備也就用一塊NOR Flash。在使用數(shù)量少和單價低的共同影響下，NOR Flash的市場價值比起NAND之類的存儲芯片明顯小很多，屬于存儲芯片行業(yè)的小眾市場。

一款兆易創(chuàng)新 8Mb NOR Flash單價3.07元

以業(yè)界主流使用的8MB NOR Flash為例，售價僅為3元左右。對于很多數(shù)碼設備來說這樣的價格占總成本中的比重并不高。也因此NOR Flash看似參與到了很多行業(yè)中，但在存儲器市場中的占比遠低于DRAM和NAND Flash。

因此如果想靠NOR Flash拉升毛利率，作用十分有限。

難以抗衡大廠的NAND Flash業(yè)務

兆易創(chuàng)新的 NAND Flash產(chǎn)品主要為SLC NAND，在NAND Flash產(chǎn)品方面，目前SLC NAND主流工藝節(jié)點在19nm-38nm，兆易創(chuàng)新的成熟工藝節(jié)點為38nm，同時24nm工藝節(jié)點的產(chǎn)品也已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。目前正在量產(chǎn)的產(chǎn)品容量從1Gb至8Gb覆蓋主流容量范圍。

美光SLC NAND

但是，單顆NAND如果容量只在8Gb的話，對于大容量存儲還是不太夠的。以美光（Micron）的SLC NAND為例，美光提供的SLC NAND容量從1Gb至256Gb，這顯然是大于兆易創(chuàng)新的1Gb至8Gb。

除了大容量存儲，其實還是有一些小容量存儲使用NAND的場景，在這些場景下兆易創(chuàng)新的NAND還是可以發(fā)揮優(yōu)勢的。但總體來說NAND市場還是屬于像美光、海力士、三星這樣大廠的天下。

自研DRAM 2021年未必會出現(xiàn)

兆易創(chuàng)新目前在DRAM業(yè)務方面是一個“代理商”。兆易創(chuàng)新目前銷售的DRAM是合肥長鑫的，兆易創(chuàng)新從2020年開始銷售合肥長鑫DRAM產(chǎn)品。

早在2020年3月兆易創(chuàng)新就與長鑫存儲及其各自子公司簽署《框架采購協(xié)議》、《代工服務協(xié)議》及《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作協(xié)議》日常交易框架協(xié)議。

《框架采購協(xié)議》就是指兆易創(chuàng)新向合肥長鑫DRAM采購DRAM產(chǎn)品。而《代工服務協(xié)議》則是指合肥長鑫向兆易創(chuàng)新提供代工服務。

兆易創(chuàng)新是一個無廠模式（Fabless）運營的芯片公司，無廠模式簡單來說就是只管芯片設計，不管芯片制造的公司。因此兆易創(chuàng)新想要生產(chǎn)任何芯片都需要找晶圓廠代工。

而此次簽署的《代工服務協(xié)議》就是為了以后自研DRAM設計完成之后找合肥長鑫進行代工生產(chǎn)。而在之后的補充協(xié)議中又將這三大協(xié)議的有效期延展到了2030年，可以據(jù)此推測至少近幾年內(nèi)兆易創(chuàng)新如果想制造DRAM都會找長鑫代工了。

那么為什么說兆易創(chuàng)新自研的DRAM 2021年未必會出現(xiàn)呢？

出自兆易創(chuàng)新2020年3月的公告

公告中顯示，在2020年預計接受代工服務涉及的金額為0，也就是說2020年兆易創(chuàng)新并不打算讓合肥長鑫代工生產(chǎn)芯片。在后續(xù)的投資者關系活動中的回答的內(nèi)容也證明了這點。

在2020年3月的投資者關系活動記錄表中我們可以找到原因。在其中一條回答中稱“因為公司的DRAM產(chǎn)品還沒有研發(fā)出來，所以代工業(yè)務2020年暫時無金額。”

在2021年2月，兆易創(chuàng)新發(fā)布了《關于擬簽署框架采購協(xié)議及預計2021年度日常關聯(lián)交易額度的公告》。

出自兆易創(chuàng)新2021年2月的公告

這個公告主要就是為了公示與長鑫日常關聯(lián)交易的預計金額，可能有些人也注意到了，此次公示中原來的“三大協(xié)議”少了一個，而且少的就是之前金額為0的《代工服務協(xié)議》。

為什么會少一個《代工服務協(xié)議》的預算呢？如果說2021年這個協(xié)議的預算也為0，那么沒有這方面的預算確實可以理解。如果有這方面的預算，但是不公示，這種可能性就比較小了。

那么如果《代工服務協(xié)議》今年的預算真為0，那么意味著什么呢？

兆易創(chuàng)新今年沒打算讓長鑫“代工”生產(chǎn)DRAM芯片。

這不免讓疑惑，難道今年兆易創(chuàng)新自研的DRAM不生產(chǎn)了嗎？而且上年實際從長鑫采購的DRAM產(chǎn)品金額為0.54億美元，今年就直接預計3億美元。兆易創(chuàng)新給出的理由為“市場需求旺盛，市場開拓空間進一步提升，公司備貨水平相應提高”。不過今年如果能如期推出自己的DRAM產(chǎn)品，為什么還要去找長鑫加大備貨量呢？賣自己的產(chǎn)品，毛利率還能高一點，不香嗎？因此兆易創(chuàng)新自研DRAM 2021年未必會出現(xiàn)。

不過有些細心的人可能會發(fā)現(xiàn)，兆易創(chuàng)新基本沒怎么提過“自研”的事。兆易創(chuàng)新無論是在年報上還是在投資者關系活動上，所用的表述都是“自有品牌”。“預計將于2021年上半年推出第一顆自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。

“自有品牌”范圍可就大了，除了“自研”以外，還可以買長鑫的芯片自己做模組，或者買長鑫的產(chǎn)品“貼牌”出售。

如果是買長鑫的芯片自己做模組，買芯片的交易額走的是“采購Dram產(chǎn)品”（就預算大幅上漲的那個），而且做出來的模組確實可以算“自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。

能破局嗎？

一般來說在芯片行業(yè)，代售其它廠家的芯片毛利率始終是不會高的。就像現(xiàn)在兆易創(chuàng)新代售長鑫的DRAM。而提高毛利率的最簡單途徑，就是自研。如果說2021年上半年推出的DRAM產(chǎn)品是自研的，比如兆易創(chuàng)新設計，長鑫制造。那么毛利率肯定會提升。但如果只是貼牌或者做模組的話，那毛利率可能就會表現(xiàn)得比較一般了。

補充資料：存儲芯片

作為補充說明，我們來聊聊存儲芯片是如何存儲數(shù)據(jù)的。在遠古時期，人們可以通過結繩記事的方式記錄信息。而在現(xiàn)代，晶體管出現(xiàn)了，人們可以把大量數(shù)據(jù)存在芯片里了。

我們來假設一下，在結繩記事的時代，如果繩子的一個地方打一個結，就代表早上吃過飯了。如果這個地方?jīng)]有結，那么就說明早上沒吃飯。那么“早上吃沒吃過飯”這個信息就通過簡單的一個結記錄了下來。

而到了現(xiàn)代，數(shù)據(jù)的基礎很多是用“0”和“1”來構成的。那么如何記錄下0和1呢？這時候我們肯定不能在芯片里像結繩記事那樣打結，但有類似的方式記錄，比如電壓。電壓高時可以記做1，電壓低時可以記做0。

而對應芯片的存儲單元也會被設計成能夠存儲高電壓或者低電壓信息的結構，就像結繩記事里的結。

一種存儲單元

在如圖所示的結構中，如果我們把電荷放在存儲單元的存儲電容器中，這就可以使晶體管導電，電荷傳至位線，使電壓上升。這時就是高電壓狀態(tài)，表示數(shù)據(jù)為“1”。

注：除了電壓以外還可以通過：磁、電阻等介質(zhì)來存儲信息。

而根據(jù)存儲的具體方式不同，存儲芯片又能分成很多種類。NOR Flash、NAND Flash和DRAM是三種不同的存儲芯片，其中NOR Flash、NAND Flash屬于非易失性存儲芯片，DRAM屬于易失性存儲芯片。

簡單來說兩者的區(qū)別在于斷電之后能否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲斷電之后不能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)只能臨時存放。以電腦上的內(nèi)存條為例，內(nèi)存條上的存儲顆粒就屬于DRAM。

DDR4內(nèi)存條 截取自金士頓官網(wǎng)

而非易失性存儲的特點就是斷電之后依舊能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)可以長期存儲。以電腦上的固態(tài)硬盤為例，固態(tài)硬盤上的存儲顆粒大多為NAND Flash。

UV500 SATA 固態(tài)硬盤（mSATA）截取自金士頓官網(wǎng)

NAND Flash可以再細分成SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我們平時說買一塊TLC的固態(tài)，TLC指的就是固態(tài)硬盤所用的NAND Flash類型為TLC。

另一種非易失性存儲是 NOR Flash ，NOR Flash一次讀寫一個字或字節(jié)的數(shù)據(jù)，因此能夠對各地址執(zhí)行隨機存取。而NAND Flash芯片的尺寸比NOR Flash小，能夠實現(xiàn)更高的存儲密度，使存儲容量更大，且制造成本更低。因此NAND Flash已成為大容量存儲設備的主流選擇，除了前文提到的固態(tài)硬盤，還有U盤、SD卡等。而NOR Flash則一般用于存儲一些小數(shù)據(jù)，比如配置信息。電腦主板中的BIOS信息就會存儲在NOR Flash中。

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