10月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，今日，存儲(chǔ)芯片制造商三星電子宣布，它已開(kāi)始使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。
三星電子表示，EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復(fù)步驟，提高了圖案繪制的準(zhǔn)確性，從而提高了性能和產(chǎn)量，縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。
利用最新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達(dá)7.2Gbps的速度，這是DDR4速度（3.2Gbps）的2倍多。
該公司表示，即將開(kāi)始量產(chǎn)DDR5，并預(yù)計(jì)最新工藝將使生產(chǎn)率提高20%，功耗降低近20%。
據(jù)悉，三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片和智能手機(jī)制造商之一。在近日舉辦的晶圓代工論壇上，該公司宣布，將從2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片，并計(jì)劃從2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的3nm芯片，第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將在2023年生產(chǎn)。
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