芯片破壁者（六）：摩爾定律的一次次“驚險”續(xù)命

原標題：芯片破壁者（六）：摩爾定律的一次次“驚險”續(xù)命

1965年，《電子》雜志在創(chuàng)刊35周年之際，邀請時任仙童半導體公司研究開發(fā)實驗室主任的摩爾，為其撰寫一篇觀察評論，預測微芯片工業(yè)的前景。

此時，全球半導體產業(yè)才剛剛萌芽，英特爾公司都尚未成立，市面上生產和銷售的芯片更是屈指可數(shù)。

摩爾根據(jù)有限的數(shù)據(jù)大膽提出了一條被后人奉為圭臬的路線圖——處理器（CPU）的功能和復雜性每12個月增加一倍，而成本卻成比例地遞減，也就是有名的摩爾定律。（1975年，摩爾將12個月改為18個月，沿用至今）。

這篇名為“讓集成電路填滿更多的元件”的報告，就此指導了半導體乃至整個信息產業(yè)半個世紀的發(fā)展步伐。

就連摩爾本人都沒有想到，這個定律的效力是如此持久。

2005年，摩爾直言“Something like this can’t continue forever” ，認為摩爾定律可能在 2010 至 2020 年達到極限而失靈，建立在硅基集成電路上的電子信息技術也將被另外一種技術所代替。

此后十幾年，不斷挑戰(zhàn)半導體產業(yè)極限的摩爾定律，也在一次次撞向“天花板”的時候“被死亡”。

關于摩爾定律的唱衰言論層出不窮。2014年國際半導體技術路線圖組織宣布，下一份路線圖將不再依照摩爾定律。臺積電張忠謀、英偉達黃仁勛等挑戰(zhàn)者更是“語出不遜”，認定摩爾定律不過是茍延殘喘。

顯然，一切并沒有發(fā)生。集成電路芯片向5nm甚至3nm制程進發(fā)，依然是英特爾、三星、臺積電等半導體廠商孜孜以求的目標。

硬挺到今天的摩爾定律，為何總能被成功“續(xù)一秒”，又是哪些黑科技在幫助它一次次“起死回生”？圍繞在它身上的傳奇和產業(yè)競速到底能續(xù)寫到什么時候？接下來，我們就一起走進——摩爾定律的驚魂夜。

薛定諤的摩爾定律之死

在抵達一個個驚險刺激的歷史現(xiàn)場之前，有必要先跟大家聊聊摩爾定律持續(xù)“碰壁”的原因。

摩爾定律的定義，歷史上其實被更新過幾次，因此也形成了不同的版本和表達。比如：

集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便增加一倍；

微處理器的性能每隔18個月提高一倍，或價格下降一半；

相同價格所買的電腦，性能每隔18個月增加一倍。

正是沿著這個思路發(fā)展，電腦、電話等在強勁的處理器芯片加持之下，才有了低價格、高性能的可能，進而得以應用于社會每個的每個領域，成就了今天無處不在的信息生活，甚至徹底改變了人類的生活方式。

而在過去的幾十年里，為了滿足摩爾定律，半導體行業(yè)算是堵上了自己的尊嚴：

提升晶體管的密度與性能，成為微處理器按“摩爾定律”進化最直接的方法要在微處理器上集成更多的晶體管，芯片制造工藝不斷向天花板逼近，制程節(jié)點不斷逼近物理極限。

1971年英特爾發(fā)布的第一個處理器4004，就采用10微米工藝生產，僅包含2300多個晶體管。

隨后，晶體管的制程節(jié)點以0.7倍的速度遞減，90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相繼被成功研制出來，最近的戰(zhàn)報是向5nm、3nm突破。

既然大趨勢如此成功，為什么“摩爾定律”還會被屢屢宣判失效、死亡呢？

任何一個對指數(shù)有所了解的人，都會明白這種增長要無限地保持下去是不可能的。“增加一倍”的周期都是18個月，意味著每十年晶體管的數(shù)量要提高一百倍。

摩爾自己在演講時也開玩笑說，如果其他行業(yè)像半導體這樣發(fā)展的話，汽車現(xiàn)在應該一升汽油就能跑幾十萬公里，市中心每小時的停車費可能比勞斯萊斯還要昂貴，還有可能汽車尺寸會縮小到兩寸長根本無法載人……

因此，摩爾本人在談論“摩爾定律”的生命周期時，更同意史蒂芬霍金的說法。后者曾在被問及集成電路的技術極限時，提到了兩個限制：

一是光的極限速度，芯片的運行速度距離光速還很遠；二是物質的原子本質，晶體管已經很接近原子的直徑（0.01納米到0.1納米之間）。

也就是說，摩爾定律想要在當下繼續(xù)發(fā)展，工程師們就不得不面臨與這兩個最基本的自然法則做斗爭。聽起來是不是一個很艱難的挑戰(zhàn)？

體現(xiàn)在具體的產業(yè)難題上，就是隨著硅片上集成電路密度的增加，其復雜性和差錯率也會呈現(xiàn)指數(shù)級的上升。

硅材料芯片被廣為詬病的便是高溫和漏電。集成電路部件發(fā)散的熱量，以及連線電阻增加所產生的熱量，如果無法在工作時及時散發(fā)出去，就會導致芯片“罷工”；

此外，晶體管之間的連線越來越細，耗電也就成了大問題。而且導線越細，傳輸信號的時間也就越長，還會直接影響它們處理信號能力。如果電子能直接穿透晶體管中的二氧化硅絕緣層，就會觸發(fā)“量子隧穿效應”，完全喪失功能。

要在指甲蓋大小的芯片上以億為單位來雕刻晶體管，難度就像從月球上精準地定位到地球上的一平方米一樣，這種原子甚至量子級別的集成電路焊接與生產，就對工藝精密度提出了更高的要求。

一邊芯片被要求越做越小，性能越來越高；一邊物理限制又需要晶體管之間保持一定的距離，可不為難死工程師了嘛。

同時別忘了，摩爾定律還被附加了經濟色彩。除了性能之外，成本/價格的同時下降也被看做是基本要求。

體現(xiàn)到消費級市場，就是用戶們在每兩年，用更少的錢買到性能更高的電腦、手機產品。

但是，技術研發(fā)投入與光刻設備的更新?lián)Q代，都需要半導體廠商耗費大量的資金。

生產精密程度的不斷提升，也需要在制造環(huán)節(jié)投入更大的人力物力，一代代芯片生產線的設計、規(guī)劃、調試成本，也在以指數(shù)級增長。

以前，生產130nm晶圓處理器時，生產線需要投資數(shù)十億美元，到了90nm時代則高達數(shù)百億，超過了核電站的投入規(guī)模。按照IBS 的 CEO Handel Jones 的預測，3nm 芯片的研發(fā)成本，甚至將達到 令人發(fā)指的40 億至 50 億美元。

為了攤薄成本，半導體廠商不得不生產更多的芯片，這又會導致單片芯片的利潤回報下降。

很顯然，半導體企業(yè)不可能長期“既讓性能翻一倍，又讓價格降一倍”，如果18個月沒有收回成本，就要面臨巨大的資金壓力。

更為殘酷的是，受軟件復雜性等影響，芯片性能的提升在用戶感知度上也越來越弱。

上世紀八九十年代，晶體管數(shù)量增加帶來的性能加成是明顯的。比如奔騰處理器的速度就遠高于486處理器，奔騰2代又比奔騰1代優(yōu)秀得多。

但正如大家所見的，進入21世紀以來，芯片制程越來越小，但用戶對性能提升的感知度卻不如以往令人驚艷，更新?lián)Q代的買單欲望也能輕易被控制——等待更具性價比的計算硬件，鎖死了摩爾定律的增長周期。

曾幾何時，谷歌CEO Eric Schmidt 被問及會不會購買 64 位“安騰”處理器時，對方就表示“谷歌已經決定放棄摩爾定律”，不準備購買這種在當時看來的超級處理器。當然，這一決定被歷史證明打臉了。

但也說明，即使廠商完成了前期的燒錢游戲，也未必能在中短線消費市場上完美收官。

總體而言，過去六十多年里，半導體行業(yè)的快速發(fā)展，正是在摩爾定律的推動下實現(xiàn)的，一代代運算速度更快的處理器問世，讓人類徹底走進了信息時代。

與此同時，在芯片焊接和生產已經達到原子級別、接近量子級別的程度之后，摩爾定律也從指導行業(yè)進化的“金科玉律”，逐漸變成了捆綁在半導體產業(yè)頭上的緊箍咒。

想要繼續(xù)發(fā)揮作用，必須付出巨大的成本，讓行業(yè)舉步維艱、苦不堪言的同時，不斷被唱衰也就成了摩爾定律的宿命。

性能、價格、市場預期，就如同三體世界里的三個太陽，在半個多世紀的時間里反復炙烤著摩爾定律。

接下來，我們就一起回到幾個重要的“碰壁現(xiàn)場”，去看看摩爾定律是如何在一次次瓶頸期“驚險”逃生、鞭策著整個行業(yè)繼續(xù)為之奮斗的。

第一次續(xù)命：從MSI到VLSI，工匠之國日本的崛起

在此前的章節(jié)中，我們談論了以DRAM為代表的VLSI超大規(guī)模集成電路的崛起，以及美國、日本在這個技術戰(zhàn)場上的世紀戰(zhàn)爭。

而摩爾定律，既是這場戰(zhàn)爭必然爆發(fā)的推動力，也是產業(yè)版圖更迭的見證者。

了解歷史的人知道， 1975年，在“摩爾定律”發(fā)布的十年后，摩爾本人對定律進行了修改，將原本的“12個月翻一倍”改為了“18個月”。

當時，摩爾已經離開仙童，與別人一起創(chuàng)立了英特爾。而技術的挑戰(zhàn)也在此時拉開序幕。

1975年，英特爾公司準備推出的一款電荷耦合器件(CCD)存儲芯片中，只有3.2萬個元件，這比摩爾定律預測的千倍增長整整少了一半。

第一個辦法當然是修改定律，將產業(yè)周期從12個月延長到18個月。摩爾在一次訪談中曾提及這次修改，不無消極地說，自己的論文只是試圖找到以最低成本生產微型芯片的方式——

“我覺得不會有人會按照它（摩爾定律）來制定商業(yè)計劃 ，可能是因為我還沉浸在第一次預測正確的恐慌當中。我不覺得還會有人關注這個預測?！?/p>

翻車的原因在于，摩爾定律提出的1965年，還是小規(guī)模集成電路（SSL）時代，芯片內的元件不超過100個。此后，MSI（中規(guī)模集成電路）順利地擺渡了十年，生產技術的進步遠遠領先于芯片設計，晶體管數(shù)量幾乎每年都會翻番，完美符合摩爾定律。

但接下來，工程師們認為要在單芯片上集成十萬個晶體管，VLSI階段正式來臨。與此同時，DRAM存儲器、微處理器CPU等芯片產品的出現(xiàn)，在將芯片復雜度發(fā)揮到極致的同時，也讓成本的經濟性開始引起重視。

當時，美國半導體產業(yè)界已經在實驗室完成了對VLSI的技術突破，為什么最后卻是日本成功上位呢？

因為新時期里，拯救摩爾定律的不是技術上的突破，而是商業(yè)價值上的精進。

DRAM是當時最重要的半導體市場消費品，而其制造的關鍵在于更細 、更密集的電路。面臨的挑戰(zhàn)在于，隨著芯片上元件的增多，晶圓上的隨機缺陷影響加大，導致成品率降低，自然提高了芯片的生產成本，也讓廠商的收益不那么美好。

必須實現(xiàn)成本下降，才能延續(xù)摩爾定律。而日本產業(yè)對技術和經濟的平衡，在此時發(fā)揮了重要的作用。

1976年，日本以舉國之力啟動了聞名遐邇的超大規(guī)模集成電路研究計劃。

由通產省技術專家和官員出面，集合了富士通、日立、三菱、日本電氣（NEC）和東芝等5家公司，共同設立了VLSI研究所。

日本在進軍半導體市場時更注重改進制程，而不是產品上有什么革命性的突破。日本VLSI研究所的目標，就是在微精細加工、工藝技術、元件技術等等課題上嘗試提升。

VLSI項目實行了4年，于1980年結束，也確實誕生了豐碩的研究成果，大約有1000項發(fā)明獲得了專利，這對日本半導體的國際競爭力起到了重大作用。

與此同時，注重制造技術也為日本半導體公司帶來了全球競爭優(yōu)勢，雖然不像革命性產品那樣引人注目，但價格和質量卻成為攻占市場的重要籌碼。

當時，業(yè)界每兩三年便會推出新一代DRAM，存儲能力以倍數(shù)上升，消費者們也熱衷于升級存儲條。龐大的市場需求，撞上日本工業(yè)界對集成電路的改良，直接從半導體產業(yè)大本營——美國手里搶走了不少市場份額。

1982底，日本的第一代超大規(guī)模集成電路的64K RAM已經占到國際市場的66％，至此，日本在DRAM制造方面的全球領導地位奠定，也使其成為下一代微芯片的技術領導者。

正是日本在VLSI技術上的發(fā)力，讓摩爾定律得以繼續(xù)發(fā)揚光大。到了1980年代，摩爾定律已經被看到是“DRAM準則”，隨后，微處理器也出現(xiàn)在了曲線上。復雜度（晶體管的數(shù)量），以及芯片性能（處理器的操作速度），成為摩爾定律的主要預測對象，摩爾定律也從此時起成為業(yè)內公認的標準，不少微處理器和存儲器芯片企業(yè)根據(jù)這一趨勢來制定生產計劃、參與國際競爭。

制程工藝與經濟性的正式融合，讓摩爾定律與半導體發(fā)展節(jié)奏，從80年代中期開始，開始變得密不可分。

第二次續(xù)命：從2D到3D，一杯名為技術的“美式咖啡”

摩爾定律的第一次續(xù)命，成功拉開了半導體產業(yè)的激烈競爭。

當時的產業(yè)邏輯是，制程領先的企業(yè)很容易獲得市場份額和規(guī)模優(yōu)勢，進而讓落后者無利可圖。

但這種高速發(fā)展不斷撞上了新的天花板，摩爾定律也迎來了自己的第二次“被死亡”。

20世紀90年代中期，在IBM研究所工作的劉易斯·特曼（Lewis Terman）宣稱，摩爾定律的終結就在眼前。

原因很簡單，進一步縮小晶體管尺寸再一次迎來技術瓶頸。

當時，半導體行業(yè)開始用激光作為光源在硅晶圓平面上制造晶體管和集成電路，當波長從 365 nm 降低到 248 nm，晶體管尺寸也逐漸逼近100nm。隨著組件尺寸變小，當晶體管處于“關閉”狀態(tài)時，電流很容易泄漏出來這會造成芯片的額外損耗。

2000年，全世界研究者都在研究如何讓更短波長的微影蝕刻成功，延長干式機臺的壽命。臺積電在此時殺出，與ASML共同完成開發(fā)全球第一臺潤式微影機臺，采用193波長曝光的“濕式”機臺量產45nm制程，一時間引人矚目，將半導體制程從45nm向前推進，讓摩爾定律得以延續(xù)。

很快，大家都覺得這已經到硅芯片的極限了，摩爾定律再次失效，半導體產業(yè)的黃金年代也即將結束。

于是在 2002 年 11月，英特爾股票被美林證券將降級 , 從 “中立”降為 “賣出”, 股價再次應聲而落。

美國對于這種情況也十分擔憂，國防高級研究計劃局（DARPA）還啟動了一個名為“25nm開關（25-nm Switch）”的計劃，試圖提升芯片容納晶體管數(shù)目的上限。

讓英特爾及 “摩爾定律”繼續(xù)引領行業(yè)的，是一位華人。

加州大學伯克利分校電氣工程和計算機科學教授的胡正明，由于美國在能源領域的學術撥款緊縮，轉向參加企業(yè)項目，開始挑戰(zhàn)半導體領域的難題。

（FinFET發(fā)明者胡正明）

既然晶體管尺寸無法再縮小，提升密度能不能同時保證技術和成本效益呢？按照這一思路，胡正明提出了鰭式場效晶體管（FinFET，F(xiàn)in Field-effect transistor）方案。

以前，整個芯片基本上是平坦的，而胡正明則一改此前元器件和電路都在芯片表面一層的CMOS晶體管工藝理念，改為用垂直方法鋪設電流通道。

在硅基底上方垂直布設細傳導通道，傳導通道像鯊魚鰭一樣排列，柵極可以三面環(huán)繞通道，而不是僅僅位于通道上方。

（FinFET工藝結構特點）

這種方式不僅能很好地接通和斷開電路兩側的電流，使柵極能夠更好地控制電子流動，從而大大降低了芯片漏電率高的問題，還利用垂直空間，大幅地縮短了晶體管之間的閘長。

晶體管尺寸發(fā)展到25nm以下后，F(xiàn)inFET方案發(fā)揮了巨大的作用。

不過，F(xiàn)inFET的工藝制造過程較為復雜，英特爾2002年起投入3D晶體管的研發(fā)，2011才開始利用FinFET方案正式批量生產晶體管，22nm的酷睿處理器三代就使用的FinFET工藝。

隨后，各大半導體廠商也開始轉進到FinFET工藝之中，臺積電16nm、10nm，三星14nm、10nm以及格羅方德的14nm等等，都是在FinFET工藝支撐下實現(xiàn)的。

3D晶體管時代的開啟，又一次將摩爾定律推后了數(shù)年。

第三次續(xù)命：全球聯(lián)動EUV，只為撬出突破口

“摩爾定律”的舒坦日子還沒過多久，新的催命符又來了。

國際半導體技術發(fā)展路線圖更新后大家發(fā)現(xiàn)，增長在2013年年底又放緩了。

進入三維結構之后，芯片工藝無法嚴格按照既定的路線升級制程工藝。各個半導體廠商的產品創(chuàng)新屢屢被用戶吐槽“擠牙膏”，AMD停留在 28nm多年，英特爾在14nm節(jié)點區(qū)分出“14nm、14nm+、14nm++”三種制式更被引為笑談。

看起來，摩爾定律似乎在14nm節(jié)點上又一次無路可走了，接下來怎么辦？

一個來自于哈勃太空望遠鏡，為美蘇“星球大戰(zhàn)”計劃而開發(fā)的技術——EUV，開始在產業(yè)界登場。

（EUV原理）

此前，英特爾用超微深紫外線（DUV，Deep Ultra Violet）技術制造出了為數(shù)不多的30nm 晶體管樣品。隨后，研究人員又將下一步研究放在了大規(guī)模采用極紫外線刻蝕技術（EUV）來進行生產上。

2012 年，英特爾、三星和臺積電（TSMC）為 ASML 的下一代光蝕刻技術募集了 13.8 億歐元的研發(fā)經費，其中有4000 名專注 EUV 項目的員工。

有意思的是，盡管英特爾很早就在布局EUV技術，但最早推出EUV制造的7nm芯片樣品的，卻是IBM。

當時，《紐約時報》以《IBM Announces Computer Chips More Powerful than Any in Existence》（IBM發(fā)布了比現(xiàn)有任何一種產品都強大的計算芯片）為題報道了此事，有些媒體更直言“IBM打了英特爾的臉”。

不過，EUV光刻技術采用13.5nm長的極紫外光作為光源，對光照強度、能耗效率和精度等都有極高要求。因此，盡管其研發(fā)始于20世紀80年代，但達到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求，卻摸索了很長一段時間，以至于在此期間，摩爾定律不斷被挑釁。

2017年的GTC技術大會上，GPU芯片廠商NVIDIA英偉達甚至提出要靠GPU開啟AI時代的計算新紀元。其CEO黃仁勛聲稱，摩爾定律已經終結，依靠圖形處理器推動半導體行業(yè)發(fā)展才是正道，而尋找更強大的CPU則應該讓出主導地位。

以前，摩爾定律強調性能可以“一力降十會”，而英偉達認為，賦予晶體管智慧比力量更加重要。

對此，摩爾接受《紐約時報》專訪時表示，如果良好的工程技術得到應用，那么摩爾定律仍可以堅持 5 到 10 年時間。

摩爾定律的變緩，給了 EUV 足夠的時間迎頭趕上這根救命稻草，終于在近些年成功落地。

2016年后，EUV光刻機開始投入晶圓廠，用于研發(fā)和小批量試產。隨后，三星、臺積電、英特爾等都爭先恐后地將EUV投入芯片量產，中芯國際斥資1.2億美元買入EUV光刻機的新聞也見諸報頭。

用ASML（阿斯麥）研發(fā)副總裁Anthony Yen的話來說，EUV光刻是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設備，并被廣泛看做是突破摩爾定律瓶頸的最關鍵武器。

但成本，依然是困擾摩爾定律的難題。目前建設一個7nm工廠需要投資150億美元，5nm工廠將需要300億美元，而3nm理論上是600億美元。

最后如何在終端市場上將成本順利攤銷，加上復雜國際政治局勢的干擾，對三星、臺積電等半導體廠商來說都是一件風險極大的事。

不難看出，在EUV為核心的戰(zhàn)場上，芯片廠商與代工廠的競爭已經告一段落，更上游的半導體材料廠商、光刻機設備廠商，甚至學術界、產業(yè)界的工藝創(chuàng)新，開始加入其中，成為拯救摩爾定律不可或缺的參與力量。

其他屢建奇功的續(xù)命“藥丸”

當然，在摩爾定律的續(xù)命史上，除了上述三個重要的技術節(jié)點、提高主頻性能之外，也有不少方法屢建奇功。

比如新的封裝技術。像是Chiplet小芯片系統(tǒng)封裝技術，就可以促進芯片集成、降低研發(fā)成本、提高成品率，被認為是擴展摩爾定律有效性的另一種武器。

據(jù)說，臺積電最新的3D SoIC封裝技術將于2021年進入批量生產，促進高性能芯片的成本效益。

再比如尋找硅材料的替代品。利用新型材料做出分子大小的電路，也能使芯片性能變得更強大。在半導體發(fā)展歷程中，元素周期表上的各種可能都被廣泛嘗試過。

華為任正非就曾公開表示，石墨烯有潛力顛覆硅時代。英特爾也宣布，在達到7納米工藝之后，將不再使用硅材料。光刻膠等半導體材料的創(chuàng)新，也在推動摩爾定律的持續(xù)演進。

（英特爾對半導體工藝的進展預期）

也有人提出了“More than Moore”（超越摩爾定律）路線，通過改變基礎的晶體管結構、各類型電路兼容工藝、先進封裝等多種技術，共同發(fā)力來延續(xù)半導體行業(yè)的發(fā)展，而不再局限于縮小晶體管特征尺寸所帶來的推動力。

總而言之，摩爾定律何時觸頂或未可知，但半導體行業(yè)的進步永不終結，而圍繞產業(yè)規(guī)律展開的商業(yè)競爭與硝煙也會繼續(xù)延綿不休。

（超越摩爾定律：多樣化）

回望摩爾定律的一次次驚險續(xù)命，不難發(fā)現(xiàn)，盡管其很多假設都會隨著時代變化而變得不再適用，但半導體產業(yè)的特殊之處卻決定了它頑強的生命力。

一方面，摩爾定律督促著技術工程師們不斷挑戰(zhàn)極限，聚焦于難題上，以盡可能地挖掘硅部件的潛力，作為“硅谷的節(jié)拍器”，摩爾定律在讓行業(yè)走上巔峰的時候，也成為了產業(yè)的基本法。

而每當行業(yè)發(fā)生本質變化的時候，摩爾定律也會隨之得到修正和改變，使其始終保持著一定的準確度。

此外，即使全行業(yè)都在摩爾定律之下展開激烈競爭，但這并不意味著標新立異沒有意義，用不同的生產、工藝、材料等等方式尋求更快的發(fā)展，自控式企業(yè)也更容易抓住機會，打破固有的市場格局脫穎而出。

當然，在摩爾定律的感召下，科學家、工程師、投資方，甚至曾經的競爭者，也有可能形成共同體，在同一理想的支撐下大膽投入高風險的研發(fā)活動。

從日本半導體廠商的逆襲、英特爾的多年輝煌、英偉達的豪橫發(fā)言等身上，會發(fā)現(xiàn)正是摩爾定律的文化隱喻，讓產業(yè)的發(fā)展速率變得不可預測，也格外精彩。

這也是為什么，我們會追尋摩爾定律“起死回生”的歷史瞬間。因為它不僅對半導體行業(yè)的變化趨勢十分重要，更是技術軌道和預言的重要范例。

半個多世紀以來，摩爾定律本身已經改變，但其文化內核卻始終不變，只是以更廣闊、更強大的方式與我們再次觸碰。

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