對于制作LED芯片來說,襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底,需要根據(jù)設備和led器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底:
1. 藍寶石(Al2O3)
2. 硅 (Si)
3. 碳化硅(SiC)
藍寶石襯底
通常,GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優(yōu)點:首先,藍寶石襯底的生產技術成熟、器件質量較好;其次,藍 寶石的穩(wěn)定性很好,能夠運用在高溫生長過程中;最后,藍寶石的機械強度高,易于處理和清洗。因此,大多數(shù)工藝一般都以藍寶石作為襯底。圖1示例了使用藍寶 石襯底做成的LED芯片。
使用藍寶石作為襯底也存在一些問題,例如晶格失配和熱應力失配,這會在外延層中產生大量缺陷,同時給后續(xù)的器件加工工藝造成困難。藍寶石是一種 絕緣體,常溫下的電阻率大于1011Ω·cm,在這種情況下無法制作垂直結構的器件;通常只在外延層上表面制作n型和p型電極(如圖1所示)。在上表面制 作兩個電極,造成了有效發(fā)光面積減少,同時增加了器件制造中的光刻和刻蝕工藝過程,結果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN摻雜困難,當前普遍采 用在p型GaN上制備金屬透明電極的方法,使電流擴散,以達到均勻發(fā)光的目的。但是金屬透明電極一般要吸收約30%~40%的光,同時GaN基材料的化學 性能穩(wěn)定、機械強度較高,不容易對其進行刻蝕,因此在刻蝕過程中需要較好的設備,這將會增加生產成本。
藍寶石的硬度非常高,在自然材料中其硬度僅次于金剛石,但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進行減薄和切割(從400nm減到100nm左右)。添置完成減薄和切割工藝的設備又要增加一筆較大的投資。
藍寶石的導熱性能不是很好(在100℃約為25W/(m·K))。因此在使用LED器件時,會傳導出大量的熱量;特別是對面積較大的大功率器 件,導熱性能是一個非常重要的考慮因素。為了克服以上困難,很多人試圖將GaN光電器件直接生長在硅襯底上,從而改善導熱和導電性能。
硅襯底
目前有部分LED芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式,分別是L接觸(Laterial-cONtact ,水平接觸)和 V接觸(Vertical-contact,垂直接觸),以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式,LED芯片內部的電流可以是橫向流動的,也可以是縱向流動的。由于電流可以縱向流動,因此增大了LED的發(fā)光面積,從而提高了LED的出光效率。因為硅是熱的良導體,所以器件的導熱性能可以明顯改 善,從而延長了器件的壽命。
碳化硅襯底
碳化硅襯底(美國的CREE公司專門采用SiC材料作為襯底)的LED芯片電極是L型電極,電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好,有利于做成面積較大的大功率器件。
碳化硅襯底的導熱性能(碳化硅的導熱系數(shù)為490W/(m·K))要比藍寶石襯底高出10倍以上。藍寶石本身是熱的不良導體,并且在制作器件時 底部需要使用銀膠固晶,這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的芯片電極為L型,兩個電極分布在器件的表面和底部,所產生的熱量可以通過電極直接導 出;同時這種襯底不需要電流擴散層,因此光不會被電流擴散層的材料吸收,這樣又提高了出光效率。但是相對于藍寶石襯底而言,碳化硅制造成本較高,實現(xiàn)其商 業(yè)化還需要降低相應的成本。
三種襯底的性能比較
前面的內容介紹的就是制作LED芯片常用的三種襯底材料。這三種襯底材料的綜合性能比較可參見表1.
除了以上三種常用的襯底材料之外,還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底,通常根據(jù)設計的需要選擇使用。
襯底材料的價
1.襯底與外延膜的結構匹配:外延材料與襯底材料的晶體結構相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結晶性能好、缺陷密度低;
2.襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配:熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要,外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過大不僅可能使外延膜質量下降,還會在器件工作過程中,由于發(fā)熱而造成器件的損壞;
3.襯底與外延膜的化學穩(wěn)定性匹配:襯底材料要有好的化學穩(wěn)定性,在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕,不能因為與外延膜的化學反應使外延膜質量下降;
4.材料制備的難易程度及成本的高低:考慮到產業(yè)化發(fā)展的需要,襯底材料的制備要求簡潔,成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。
當前用于GaN基LED的襯底材料比較多,但是能用于商品化的襯底目前只有兩種,即藍寶石和碳化硅襯底。其它諸如GaN、Si、ZnO襯底還處于研發(fā)階段,離產業(yè)化還有一段距離。
- 《國家創(chuàng)新指數(shù)報告2024》發(fā)布 中國創(chuàng)新能力綜合排名第十位
- 華為2024年全球銷售收入8621億元:智能汽車、終端和數(shù)字能源增長迅猛
- 第九屆華為ICT大賽中國總決賽編程賽在東南大學舉行,晉級全球總決賽名單揭曉
- 聯(lián)想集團CTO重磅宣布:將打造模型工廠
- 楊元慶立下聯(lián)想新財年軍令狀:營收再次雙位數(shù)快速增長
- 信息量極大!楊元慶描繪聯(lián)想創(chuàng)業(yè)5.0時代藍圖
- 楊元慶:聯(lián)想基礎設施贏得阿里、字節(jié)等超級大客戶
- 楊元慶:過去的財年,是聯(lián)想歷史上最好的年份之一
- 楊元慶談聯(lián)想全球化20年:一次次讓蒙塵的珍寶重新閃耀
- ICT人才發(fā)展高峰論壇舉辦 探討產教融合培養(yǎng)數(shù)智人才新路徑
免責聲明:本網站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性,但不保證有關資料的準確性及可靠性,讀者在使用前請進一步核實,并對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏,概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網站中的網頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產權或存在不實內容時,應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明,并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律文件后,將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實,溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。