美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月26日，英特爾公司宣布，美國(guó)商務(wù)部和英特爾已根據(jù)《美國(guó)芯片與科學(xué)法案》達(dá)成最終協(xié)議，向英特爾提供78.6億美元的直接撥款。
據(jù)了解，該撥款將支持英特爾在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州推進(jìn)關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造和先進(jìn)封裝項(xiàng)目，加上25%的投資稅收抵免，將共同支持英特爾在美國(guó)超過(guò)1000億美元的投資計(jì)劃。
此次宣布的對(duì)英特爾資助計(jì)劃，將增強(qiáng)英特爾的技術(shù)和創(chuàng)新能力，確保英特爾繼續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展，并支持全球半導(dǎo)體制造和研發(fā)。?
在代工業(yè)務(wù)進(jìn)展與技術(shù)領(lǐng)先性方面，目前，Intel 3制程已經(jīng)進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)，Intel 18A制程也將于明年緊隨其后量產(chǎn)，標(biāo)志著即將完成一項(xiàng)歷史性的半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)，使英特爾重獲制程工藝領(lǐng)先地位。
此外，英特爾在先進(jìn)半導(dǎo)體制造方面已實(shí)現(xiàn)了一項(xiàng)重要里程碑——完成了業(yè)界首臺(tái)商用高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機(jī)的安裝，并在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地完成了另一臺(tái)高數(shù)值孔徑光刻機(jī)的安裝。這將使英特爾能夠推動(dòng)下一代芯片制造尖端技術(shù)。
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