近日,朗迅科技參與國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項 ——GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評價會議,至此,該項目順利結(jié)題。
“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項——GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)由西安電子科技大學(xué)敖金平教授牽頭,總項目經(jīng)費(fèi)5156萬元,其中中央財政經(jīng)費(fèi)1489萬元。
該項目由西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、深圳大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、半導(dǎo)體研究所、中山大學(xué)、中科院納米技術(shù)與納米仿生研究所、香港科技大學(xué)深圳研究院、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子、江蘇能華微電子、西安交通大學(xué)和杭州朗迅科技有限公司等13家大學(xué)、科研院所及高科技企業(yè)聯(lián)合申請,匯集了國內(nèi)GaN基電力電子器件研究的主要優(yōu)勢單位和骨干研究力量。
該項目包括四個子課題,其中,課題四“高頻高效率超小型GaN基功率開關(guān)電源模塊”參與單位為深圳大學(xué)、西安交通大學(xué)和杭州朗迅科技有限公司。該課題由深圳大學(xué)劉新科博士牽頭,朗迅科技組織包括徐振董事長在內(nèi)的15人科研團(tuán)隊參與研發(fā),課題總投資1428萬元,其中中央財政經(jīng)費(fèi)161萬元,朗迅科技自籌投入1200萬元。課題四主要研究GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻退化機(jī)理,發(fā)展相應(yīng)退化抑制技術(shù);突破適用于10MHz電源模塊的新型高頻軟開關(guān)拓?fù)渑c控制技術(shù),掌握10MHz DC-DC電源模塊的集成技術(shù)與動態(tài)電阻穩(wěn)定性控制技術(shù),實現(xiàn)開關(guān)頻率10MHz、轉(zhuǎn)換效率>80%、輸出功率10W的超小型和高效率的開關(guān)電源模塊。實現(xiàn)基于GaN功率開關(guān)器件的DC-DC 功率模塊樣品:19-30V輸入電壓,5-12V輸出電壓,10MHz開關(guān)頻率大于80%的轉(zhuǎn)換效率,10W輸出功率。技術(shù)指標(biāo)獲得第三方(工業(yè)和信息化部電子第五研究所)驗證。發(fā)表論文9篇;申請發(fā)明專利9項。
寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高臨界擊穿電場大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。因此,基于GaN材料制造的電力電子器件具有通態(tài)電阻小開關(guān)速度快、耐壓高、耐高溫性能好等特點(diǎn)。以氮化鎵(GaN)基電力電子器件在高壓、高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度等應(yīng)用方面具有明顯優(yōu)勢,不僅可以滿足現(xiàn)代功率電子技術(shù)對高溫、高功率、高頻和抗輻射等惡劣條件的新要求,而且能顯著提升電源管理系統(tǒng)的效率和節(jié)省能源消耗,可實現(xiàn)系統(tǒng)小型化、輕量化,大大降低成本,在國家節(jié)能減排的戰(zhàn)略要求下具有十分重要的現(xiàn)實意義,助力于國家2030年碳達(dá)峰和2060年碳中和目標(biāo)的實現(xiàn),滿足“提能效”和“降能耗”兩大要求。GaN電力電子器件在便攜式電子產(chǎn)品、無線通訊、新能源車輛、5G網(wǎng)絡(luò)、開關(guān)電源、適配器等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景,發(fā)展氮化鎵電力電子器件也是國家解決“卡脖子”問題的一個重要內(nèi)容!
在開關(guān)電源領(lǐng)域,如何使電源模塊小型化、高頻化、高效化是一個難題,GaN基電力電子器件的出現(xiàn)給電源模塊小型化提供了一個改進(jìn)方向,對于推動我國產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型與高技術(shù)競爭力提升具有重要的技術(shù)支撐作用。隨著4G/5G的應(yīng)用,移動通信實現(xiàn)了數(shù)量吞吐量的空間增長,功率放大器是移動終端中耗電最高的器件之一。
朗迅科技參與研發(fā)的超小型高效電源模塊適合用于4G/5G基站,可促進(jìn)基站電源小型化與智能化的發(fā)展。未來,朗迅科技將繼續(xù)在氮化鎵電力電子器件開展更深入的研究,強(qiáng)化“芯”實力!
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