為加快光芯片的國產(chǎn)化進程，近年來我國發(fā)布了一系列政策扶持光芯片行業(yè)發(fā)展。在此背景下，陜西源杰半導體科技股份有限公司(公司簡稱：源杰科技)等業(yè)內(nèi)企業(yè)迎來廣闊的發(fā)展空間。
目前，2.5G、10G激光器芯片市場國產(chǎn)化程度較高，但不同波段產(chǎn)品應用場景不同，工藝難度差異大，源杰科技憑借長期技術積累實現(xiàn)激光器光源發(fā)散角更小、抗反射光能力更強等差異化特性，為光模塊廠商提供全波段、多品類產(chǎn)品，同時提供更低成本的集成方案，實現(xiàn)差異化競爭。
25G及更高速率激光器芯片市場國產(chǎn)化率低，源杰科技憑借核心技術及IDM模式，率先攻克技術難關、打破國外壟斷，并實現(xiàn)25G激光器芯片系列產(chǎn)品的大批量供貨。
縱觀源杰科技的發(fā)展歷程，不難發(fā)現(xiàn)其發(fā)展壯大的基本邏輯在于對技術研發(fā)的持續(xù)投入。2019年-2021年，源杰科技研發(fā)費用分別為1,161.92萬元、1,570.47萬元及1,849.39萬元，持續(xù)的研發(fā)投入使得公司積累了相當豐富的核心技術并建立起全流程的業(yè)務體系。
目前，源杰科技已建立了包含芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試的IDM全流程業(yè)務體系，擁有多條覆蓋MOCVD外延生長、光柵工藝、光波導制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證等全流程自主可控的生產(chǎn)線。
在此基礎上，源杰科技形成了“掩埋型激光器芯片制造平臺”、“脊波導型激光器芯片制造平臺”兩大平臺，積累了“高速調(diào)制激光器芯片技術”、“異質(zhì)化合物半導體材料對接生長技術”、“小發(fā)散角技術”等八大技術。
兩大平臺積累了大量光芯片工藝制程技術和生產(chǎn)經(jīng)驗，是源杰科技已有產(chǎn)品生產(chǎn)的保障、未來產(chǎn)品升級及品類拓展的基礎。同時，源杰科技突破技術壁壘，積累八大技術，實現(xiàn)激光器芯片的性能優(yōu)化及成本降低。其中，優(yōu)化產(chǎn)品性能方面，可實現(xiàn)激光器芯片的高速調(diào)制、高可靠性、高信噪比、高電光轉(zhuǎn)換、高耦合效率、抗反射等;降低產(chǎn)品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并可簡化激光器芯片封裝過程中對其他器件的需求，降低產(chǎn)品單位生產(chǎn)成本、下游封裝環(huán)節(jié)的復雜度及對進口組件的依賴，有助于解決大規(guī)模光網(wǎng)絡部署的供應鏈安全。
可以看到，源杰科技已經(jīng)構建起較強的市場競爭壁壘，在未來的發(fā)展中將持續(xù)受益于行業(yè)的迅速發(fā)展，實現(xiàn)企業(yè)的可持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展。
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