打破國(guó)外壟斷：國(guó)產(chǎn)64層堆棧3D閃存量產(chǎn)！

原標(biāo)題：打破國(guó)外壟斷：國(guó)產(chǎn)64層堆棧3D閃存量產(chǎn)！

隨著移動(dòng)設(shè)備普及，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)了更多數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，NAND閃存可以說(shuō)是移動(dòng)設(shè)備上最重要的部分。但是存儲(chǔ)容量成為制約廠商最大的鴻溝，與此同時(shí)給用戶帶來(lái)了更高的購(gòu)買成本。遺憾的是，傳統(tǒng)NAND如果想繼續(xù)增加容量就需要不斷提高制程，但晶體管無(wú)限縮小后帶來(lái)的是NAND性能和可靠性越來(lái)越低。

毫無(wú)疑問(wèn)，隨著2D平面閃存工藝進(jìn)步，到達(dá)15nm的水平后，相關(guān)問(wèn)題隨之出現(xiàn)：每個(gè)閃存儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存的電子越來(lái)越少，能抗磨損。所以在平面閃存已經(jīng)受到物理因素限制情況下，而3D NAND閃存的出現(xiàn)解決了眾多問(wèn)題，它不再追求縮小單元，而是通過(guò)3D堆棧技術(shù)封裝更多單元達(dá)到容量增多的目的。

然而，3D NAND閃存的關(guān)鍵技術(shù)一直掌握在日韓手里，64層堆棧3D產(chǎn)品走在了最前面，相關(guān)產(chǎn)品也已經(jīng)上市，如6月15日，三星宣布其64層立體堆棧的V-NAND閃存芯片開始加速量產(chǎn)。此外三星還在開發(fā)下一代3D閃存，下代V-NAND應(yīng)該擁有超過(guò)堆棧90層以上的水準(zhǔn)。7月27日，東芝推出全球首款64層3D NAND的工程樣品，標(biāo)志著一個(gè)新的里程牌的開啟，單顆Die最大256Gb的閃存正式登陸閃存界。

時(shí)隔不到一個(gè)月，國(guó)產(chǎn)64層堆棧3D閃存也傳來(lái)了好消息，據(jù)了解，近年來(lái)紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)大舉投資存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，其中NAND閃存是優(yōu)先發(fā)展對(duì)象，目前已經(jīng)形成了NAND閃存研發(fā)生產(chǎn)、主控IC以及后端封測(cè)等全產(chǎn)業(yè)鏈，根據(jù)最新發(fā)布的信息顯示，預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，2020年則會(huì)生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。

資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，不過(guò)產(chǎn)量非常少，屬于試驗(yàn)性的，主要用于U盤等低端產(chǎn)品。

在3D閃存上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己研發(fā)了Xtacking 3D堆棧技術(shù)，今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。

根據(jù)目前發(fā)展的趨勢(shì)來(lái)看，2020年也就是明年將會(huì)是100+層堆棧閃存的爆發(fā)之年，目前三星、美光等公司已經(jīng)量產(chǎn)96層3D閃存，據(jù)悉更有甚者已經(jīng)開始量產(chǎn)128層堆棧的閃存，預(yù)計(jì)明年的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)更加激烈。

到了2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將會(huì)推出128層堆棧的3D閃存，在技術(shù)上縮短甚至追上與國(guó)際一流廠商的差距——今年三星、東芝、美光等公司量產(chǎn)了96層的3D閃存，部分廠商甚至開始量產(chǎn)128層堆棧的閃存。

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