中芯國(guó)際第四季度業(yè)績(jī)?cè)?34.6% 42億元大手筆購(gòu)置設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)

原標(biāo)題:中芯國(guó)際第四季度業(yè)績(jī)?cè)?34.6%42億元大手筆購(gòu)置設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)

作者:夏天

來(lái)源:GPLP犀牛財(cái)經(jīng)(ID:gplpcn)

作為中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的核心龍頭,中芯國(guó)際(00981.HK)被寄予厚望。

近日,中芯國(guó)際發(fā)布2019年第四季度財(cái)報(bào)顯示,實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.39億美元,同比增長(zhǎng)6.6%;毛利1.99億美元,環(huán)比增長(zhǎng)17.4%,同比增長(zhǎng)48.7%;凈利潤(rùn)8873.5萬(wàn)美元,同比增長(zhǎng)234.6%。

繼2019年宣布14nm芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中提到,在14nm芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后首次貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收。

而為中芯國(guó)際貢獻(xiàn)訂單的正是華為,但是,近期有消息稱(chēng),為了打擊華為自有芯片,美國(guó)將阻止包括臺(tái)積電、中芯國(guó)際在內(nèi)的晶圓代工廠(chǎng)商向華為出貨。

這意味著,一旦美國(guó)禁止華為自美國(guó)進(jìn)口的晶片產(chǎn)品,將波及由中芯國(guó)際代工的華為晶片生產(chǎn),不利于中芯國(guó)際擴(kuò)張全球業(yè)務(wù)。

事實(shí)上,中芯國(guó)際已經(jīng)在默默擴(kuò)大產(chǎn)能,2020年2月18日,中芯國(guó)際發(fā)布公告稱(chēng),已于2019年3月12日至2020年2月17日的12個(gè)月期間,就機(jī)器及設(shè)備向泛林團(tuán)體發(fā)出一系列購(gòu)買(mǎi)單,總金額約為6億美元(約合人民幣42億元)。

根據(jù)公告,中芯國(guó)際此次購(gòu)買(mǎi)設(shè)備,主要是為應(yīng)對(duì)客戶(hù)的需要,擴(kuò)大其產(chǎn)能、把握市場(chǎng)商機(jī)及增長(zhǎng),設(shè)備主要用于生產(chǎn)晶圓。

目前全球擁有14nm技術(shù)晶圓代工廠(chǎng)僅臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際5家,雖然中芯國(guó)際已經(jīng)躋身前列,但距離行業(yè)領(lǐng)軍者依然有一定的距離。

IC Insights 2019年9月發(fā)布的報(bào)告顯示,中芯國(guó)際2015年第四季度初步量產(chǎn)28nm制程技術(shù),比臺(tái)積電晚了3年多,而14nm制程芯片實(shí)現(xiàn)營(yíng)收再次較臺(tái)積電遲了3年。

除了在時(shí)間上慢了一拍,在最核心的光刻機(jī)和光刻膠上,中國(guó)企業(yè)仍然依賴(lài)如荷蘭的阿斯麥、美國(guó)的泛林團(tuán)體等國(guó)際巨頭,并沒(méi)能做到真正的自主化,在光刻機(jī)和光刻膠這樣真正的底層核心技術(shù)上仍需繼續(xù)努力。

對(duì)此,中芯國(guó)際表示會(huì)進(jìn)一步優(yōu)化以縮小差距,并繼續(xù)進(jìn)行N+1、N+2代工藝的開(kāi)發(fā)和研究,N+1代相比中芯國(guó)際現(xiàn)有14nm 工藝芯片性能提升約20%,功耗降低約57%,芯片密度提升一倍,邏輯面積降低60%,二代FinFET逼近臺(tái)積電7nm 工藝,N+2的芯片也正在路上,產(chǎn)品層面有可能跳過(guò)10nm,直接量產(chǎn)7nm芯片。

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2020-02-21
中芯國(guó)際第四季度業(yè)績(jī)?cè)?34.6% 42億元大手筆購(gòu)置設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)
繼2019年宣布14nm芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中提到,在14nm芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后首次貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收。

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