ROHM推出SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機型。

ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特基勢壘二極管(SBD)※4)、于2017年開始供應車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器用的SiC MOSFET。

此次新增加的10個機型是采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)※5)、并支持車載應用的SiC MOSFET，產(chǎn)品已于2018年12月開始以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)(樣品價格：500～5,000日元/個，不含稅?！唧w價格因產(chǎn)品而異)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo CO., LTD.(日本福岡)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

近年來，隨著環(huán)保意識的提高和燃油價格的飆升，電動汽車的市場需求不斷增長。而另一方面，雖然電動汽車(EV)日漸普及，然而續(xù)航距離短始終是亟需解決的課題之一。為了延長續(xù)航距離，所配置電池的容量呈日益增加趨勢，與此同時，還要求縮短充電時間。而要想實現(xiàn)這些目標，就需要更高輸出且更高效率的車載充電器(11kW、22kW等)，采用SiC MOSFET的應用越來越多。另外，以歐洲為中心，所配置電池的電壓也呈日漸增高趨勢(800V)，這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。

為了滿足這些市場需求，ROHM一直在加強滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的產(chǎn)品陣容，加上此次新增的產(chǎn)品，ROHM實施量產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個機型，擁有傲人的業(yè)界領(lǐng)先陣容。在SiC MOSFET領(lǐng)域，擁有650V、1200V耐壓的產(chǎn)品陣容，可為客戶提供先進的解決方案。

自創(chuàng)立以來，ROHM一直秉承“品質(zhì)第一”的企業(yè)宗旨，采用從開發(fā)到制造全部在集團內(nèi)進行的“垂直統(tǒng)合型”體系，在所有的流程中嚴格貫徹高品質(zhì)理念，并積極建立切實可靠的可追溯系統(tǒng)，優(yōu)化供應鏈。針對SiC功率元器件產(chǎn)品，也建立了從晶圓到封裝在集團內(nèi)部生產(chǎn)的一條龍生產(chǎn)體制，消除了生產(chǎn)過程中的瓶頸，實現(xiàn)高品質(zhì)和高可靠性。

未來，ROHM將努力進一步提高品質(zhì)，并繼續(xù)壯大元器件性能更高的產(chǎn)品陣容，為應用的小型化、低功耗化貢獻力量。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜ROHM的SiC功率元器件開發(fā)歷史＞

＜ROHM的優(yōu)勢--垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制＞

＜適用應用示意圖＞

＜術(shù)語解說＞

※1)DC/DC轉(zhuǎn)換器

將直流電壓轉(zhuǎn)換為工作所需的電源電壓的轉(zhuǎn)換器。

※2)汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是專門針對分立半導體元器件(晶體管、二極管等)制定的標準。

※3)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡稱)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)，用作開關(guān)元件。

※4)肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode：SBD)

利用金屬與和半導體接觸形成肖特基結(jié)、從而獲得整流性(二極管特性)的二極管。沒有少數(shù)載流子存儲效應，具有優(yōu)異的高速特性。

※5)溝槽柵極結(jié)構(gòu)

溝槽(Trench)意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側(cè)壁形成MOSFET柵極的結(jié)構(gòu)。不存在平面型MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在的JFET電阻，比平面結(jié)構(gòu)更容易實現(xiàn)微細化，有望實現(xiàn)接近SiC材料原本性能的導通電阻。

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