（馬秋月/文）3月10日消息，今天長飛光纖光纜股份有限公司發(fā)布關(guān)于對外投資的公告，公告稱：已經(jīng)在3月8日組建了競買聯(lián)合體，報名參與在安徽長江產(chǎn)權(quán)交易所公開掛牌的《蕪湖太赫茲工程中心有限公司與蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司合并重組整體交易方案》的競標。其中，長飛公司及公司全資子公司武漢睿芯投資管理有限公司出資人民幣約 78,000 萬元、競買聯(lián)合體出資約人民幣 142,967 萬元。
本次交易完成后，長飛將直接持有啟迪半導(dǎo)體約34.92%的股權(quán)、通過太赫茲投資中心和太赫茲投資基金間接持有啟迪半導(dǎo)體約2.18%的股權(quán)，合計持有啟迪半導(dǎo)體約37.10%的股權(quán)，啟迪半導(dǎo)體將成為長飛子公司，太赫茲工程中心將成為啟迪半導(dǎo)體子公司，均納入長飛合并財務(wù)報表范圍內(nèi)。
如今，隨著客戶需求的變化，以及企業(yè)自身發(fā)展的需要，長飛在鞏固傳統(tǒng)優(yōu)勢產(chǎn)品的同時，大力發(fā)展多元化業(yè)務(wù)，此次交易也是長飛多元化舉措的重要布局。
據(jù)了解，啟迪半導(dǎo)體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的工藝研發(fā)和制造，該等第三代半導(dǎo)體器件產(chǎn)品主要用于新能源汽車、通信基站、光伏等相關(guān)領(lǐng)域。主要業(yè)務(wù)包括碳化硅和氮化鎵的外延、第三代半導(dǎo)體功率及射頻等相關(guān)芯片制造、功率模塊和功率單管封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)生產(chǎn)及銷售。其中，啟迪半導(dǎo)體目前主要負責(zé)業(yè)務(wù)運營，太赫茲工程中心主要負責(zé)持有業(yè)務(wù)運營所需的相關(guān)固定資產(chǎn)。
隨著 5G、新能源電動車等新興應(yīng)用對功率元件效能需求提高，相較于第一代材料硅（Si）、鍺（Ge）以及第二代砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）對于溫度、頻率、功率已達極限，難以應(yīng)用在更嚴苛環(huán)境上，第三代半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）在耐高溫、高電流的環(huán)境下仍有極佳效能。
GaN 適合高頻、中高壓領(lǐng)域（低于900V）特性，適合制作射頻元件（GaN RF 射頻），如Wi-Fi、GPS定位、衛(wèi)星通訊甚至是軍用雷達。除了5G 射頻、快充，GaN 未來發(fā)展重點：新能源汽車和數(shù)據(jù)中心。而SiC具有高功率、更高壓（超過1200 V）的特性，適合用在特高壓電網(wǎng)、風(fēng)電、太陽能、儲能及新能源車。
2021年多個國家政策加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，我國也不例外。其中《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)專欄的集成電路中提到：“集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展?！敝罂萍疾俊⒐ば挪咳婕哟罅藢Φ谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度。
相關(guān)機構(gòu)預(yù)測：2025 年全球功率半導(dǎo)體元件及模組市場規(guī)模將達274 億美元，其中第三代半導(dǎo)體SiC/GaN 市場占比從2021 年不到5%，擴大至2025 年約17%。
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