日前國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)之一宣布DDR5內(nèi)存取得了重大突破,這對于國產(chǎn)芯片來說無疑是又一個(gè)重大突破,將加快國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片替代進(jìn)口芯片。
據(jù)悉國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片新推出的LPDDR5內(nèi)存顆粒的容量和讀取速度都提升了50%,達(dá)到12GB、6400Mbps,功耗也降低了30%;針對服務(wù)器等產(chǎn)品的特殊需求,新款LPDDR5內(nèi)存內(nèi)置糾錯(cuò)碼等技術(shù),可以實(shí)時(shí)糾錯(cuò),確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
存儲(chǔ)芯片主要有NAND flash存儲(chǔ)芯片和DDR內(nèi)存芯片,這兩種存儲(chǔ)芯片,國內(nèi)都有企業(yè)研發(fā)成功,并達(dá)到了世界領(lǐng)先水平,其中NAND flash存儲(chǔ)芯片在去年率先量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層技術(shù)。
國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在技術(shù)水平方面的快速提升,滿足了手機(jī)、PC和服務(wù)器對先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求,這次的國產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存也迅速獲得了幾家國產(chǎn)手機(jī)的認(rèn)可,并已展開測試,預(yù)計(jì)很快就將搭載于手機(jī)上提供給消費(fèi)者使用。
存儲(chǔ)芯片是國產(chǎn)芯片當(dāng)中取得突破的重要芯片種類之一,并且已達(dá)到了全球先進(jìn)水平,這對于國產(chǎn)芯片來說具有重要意義,尤其是國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片成立于2016年,僅僅7年時(shí)間就達(dá)到了世界先進(jìn)水平,證明了中國確實(shí)有足夠豐富的人才和技術(shù)可以快速縮短乃至趕超全球芯片技術(shù)水平。
存儲(chǔ)芯片這幾年同樣受到了芯片設(shè)備進(jìn)口的困擾,不過兩大存儲(chǔ)芯片企業(yè)竭力解決困難,利用現(xiàn)有的芯片設(shè)備實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的芯片技術(shù),這讓外國同行相當(dāng)驚訝,中國芯片行業(yè)的創(chuàng)新力實(shí)在太驚人。
隨著中國存儲(chǔ)芯片的發(fā)展,全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)都感受到巨大的壓力,因?yàn)橹袊侨蜃畲蟮拇鎯?chǔ)芯片市場,國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片大舉替代進(jìn)口芯片,導(dǎo)致韓國的存儲(chǔ)芯片出口暴跌,美國存儲(chǔ)芯片企業(yè)美光連續(xù)虧損,美光僅是今年上半年年就巨虧42億美元。
這幾年中國的芯片行業(yè)已在太多芯片種類上打破了空白,近期有手機(jī)企業(yè)就表示推出的5G手機(jī)有九成芯片采用了國產(chǎn)芯片,存儲(chǔ)芯片當(dāng)然也是實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)芯片替代的種類之一。
如今國產(chǎn)芯片替代率已提升到三成以上,隨著國產(chǎn)芯片替代的推進(jìn),中國的芯片進(jìn)口穩(wěn)步減少,今年前三季度中國的芯片進(jìn)口量同比減少14.6%,芯片進(jìn)口額減少600多億美,這已導(dǎo)致美國芯片蒙受了巨額的損失,至少四家美國芯片企業(yè)出現(xiàn)虧損。
隨著國產(chǎn)芯片取得突破,美國芯片不僅大幅降價(jià),還積極為中國市場定制相應(yīng)的芯片,他們都擔(dān)憂中國芯片取得突破后,將失去中國市場,就連此前態(tài)度強(qiáng)硬的美光也在近期派出高官訪華,希望恢復(fù)與中國企業(yè)的合作,繼續(xù)對中國銷售存儲(chǔ)芯片。
事實(shí)證明了只要中國芯片堅(jiān)持自主創(chuàng)新,真正實(shí)現(xiàn)自主研發(fā),國產(chǎn)芯片具有替代進(jìn)口的芯片的能力,海外芯片就會(huì)迅速放下身段,降價(jià)求售,而不是如此前那樣吊起來賣,還賣得死貴,這樣的事實(shí)將促使中國芯片持續(xù)加強(qiáng)自主研發(fā),打破海外芯片的壟斷。
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