近期天氣逐漸轉(zhuǎn)冷，存儲芯片市場也步入冬天，據(jù)悉固態(tài)硬盤和內(nèi)存條的價格都大跌，從6月份至今已價格腰斬，推動存儲芯片價格大跌的原因在于中國存儲芯片的技術(shù)產(chǎn)能都已趕上，給美韓芯片造成巨大壓力。
從電商平臺可以看到1TB的固態(tài)硬盤如今已低至100元，16GB內(nèi)存條也跌至150元左右，較今年6月份的價格已折價一半，跌幅之兇猛，讓行業(yè)瞠目結(jié)舌。
這一輪存儲芯片價格大跌，在于國產(chǎn)存儲芯片已解決了技術(shù)問題，2022年中國存儲芯片率先量產(chǎn)232層NAND flash以及17納米的DRAM，在技術(shù)方面超越了美韓芯片，存儲芯片在國內(nèi)市場的價格大跌。
中國為全球最大的存儲芯片采購國，消耗了全球存儲芯片三分之一，從2023年下半年以來全球存儲芯片價格大漲，至今年上半年上漲了四成，這讓中國多付出大約1000億美元，而三星、SK海力士以及美光的利潤因此暴漲，三星更出現(xiàn)利潤暴漲十幾倍之多，可見存儲芯片價格上漲給他們貢獻(xiàn)的利潤多么豐厚。
這讓中國的高科技企業(yè)承受著成本上漲之苦，如今國產(chǎn)存儲芯片再度打破技術(shù)局限，比肩美韓芯片，產(chǎn)能也跟上，再次推動了存儲芯片價格的下降，幫助中國的高科技行業(yè)降低成本，增強(qiáng)了中國高科技產(chǎn)業(yè)的競爭力。
存儲芯片的漲價，體現(xiàn)了美韓存儲芯片取得技術(shù)優(yōu)勢后暴露的貪婪本性，事實上多年前三星就曾因聯(lián)合操縱存儲芯片價格，被美國處以巨額罰款，由此證明了這些存儲芯片企業(yè)確實有操縱存儲芯片價格的圖謀。
從2016年以來，中國存儲芯片開始發(fā)展，到2022年中國的存儲芯片在技術(shù)方面媲美美韓芯片，中國兩大存儲芯片企業(yè)也在那一年實現(xiàn)二期工程的量產(chǎn)，產(chǎn)能大幅增加兩倍，大舉滿足了國內(nèi)市場對存儲芯片的需求，從而降低了存儲芯片的價格。
面對中國存儲芯片的崛起，美國突然出手，阻止美國、日本和荷蘭的芯片設(shè)備和材料企業(yè)對中國存儲芯片供應(yīng)先進(jìn)的芯片設(shè)備，由此導(dǎo)致中國的存儲芯片技術(shù)研發(fā)陷入停滯，2023年美韓存儲芯片量產(chǎn)了300層NAND flash存儲芯片，而國產(chǎn)存儲芯片卻停留在232層，美韓存儲芯片迅速露出獠牙，大舉漲價。
不過存儲芯片并不需要太先進(jìn)的芯片設(shè)備，考慮到耐用性等方面的技術(shù)問題，如今存儲芯片的工藝停留在10納米以上，國產(chǎn)芯片設(shè)備和材料企業(yè)迅速替代進(jìn)口芯片設(shè)備和材料，到了今年國產(chǎn)存儲芯片終于再度突破技術(shù)局限，與美韓芯片處于同一水平，再次推動了存儲芯片價格的下跌。
這樣的事實說明了中國在任何一項技術(shù)上取得突破，海外企業(yè)就迅速降價，一方面是在成本方面難以與中國企業(yè)競爭，另一方面則是試圖借此打壓中國企業(yè)，畢竟他們資金實力更雄厚。
中國存儲芯片和產(chǎn)業(yè)鏈合作突破桎梏，證明了美國在芯片行業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢并非無法打破，中國擁有龐大的市場和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，只要中國各個行業(yè)共同合作，打破美國在這些先進(jìn)科技領(lǐng)域的技術(shù)壟斷是完全有可能的，存儲芯片的進(jìn)展將鼓舞中國高科技行業(yè)的奮力前行。
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