6月20日消息，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工。國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。
國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設(shè)，進展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。
項目計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。
其中，一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，兩期項目達產(chǎn)后月產(chǎn)能共計30萬片。
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