中國(guó)高端制造再躍進(jìn)，半導(dǎo)體制造先進(jìn)工藝提前投產(chǎn)

半導(dǎo)體制造是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，也是集成電路產(chǎn)業(yè)基金扶持的重要對(duì)象，在中國(guó)開始推出“中國(guó)制造2025”戰(zhàn)略后半導(dǎo)體制造更是發(fā)展的重點(diǎn)。

中國(guó)需要擺脫對(duì)海外先進(jìn)工藝的依賴

中國(guó)在2010年超過美國(guó)成為全球最大制造國(guó)后，高端制造業(yè)的發(fā)展就成為重點(diǎn)，這當(dāng)中芯片產(chǎn)業(yè)又是重中之重。中國(guó)雖然貴為全球最大制造國(guó)，但是芯片這種高科技產(chǎn)品卻嚴(yán)重依賴進(jìn)口，中國(guó)進(jìn)口的芯片占全球份額達(dá)到一半，進(jìn)口額超過石油，因此中國(guó)希望發(fā)展自己的芯片產(chǎn)業(yè)以擺脫對(duì)進(jìn)口芯片的依賴。

在中國(guó)的努力之下，目前崛起了展訊、華為海思等世界知名的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)2015年華為海思位居全球芯片設(shè)計(jì)企業(yè)第六，而展訊位居全球芯片設(shè)計(jì)企業(yè)前十，其他還有君正、瑞芯微等眾多知名的芯片企業(yè)。

但是這些芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在開發(fā)先進(jìn)芯片的時(shí)候主要是依靠中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電等提供半導(dǎo)體制造先進(jìn)工藝，這導(dǎo)致中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)屢屢受到限制。2014年華為海思與臺(tái)積電合作推進(jìn)16nmFinFET工藝，但是去年三季度臺(tái)積電成功投產(chǎn)16nmFinFET工藝后卻優(yōu)先將先進(jìn)工藝產(chǎn)能提供給蘋果生產(chǎn)A9處理器，而華為海思的麒麟950卻被延遲到11月才量產(chǎn)。

受此教訓(xùn)，華為海思今年選擇了更穩(wěn)妥的道路，當(dāng)前已經(jīng)量產(chǎn)的麒麟960采用臺(tái)積電的16nmFinFET工藝，而其也在準(zhǔn)備另一款芯片麒麟970將采用臺(tái)積電即將投產(chǎn)的10nm工藝，以避免臺(tái)積電到時(shí)候照顧其他芯片企業(yè)導(dǎo)致華為海思的高端芯片量產(chǎn)延遲。

華為海思也在與另一個(gè)半導(dǎo)體代工巨頭三星半導(dǎo)體在商談合作以確保自己獲得先進(jìn)工藝產(chǎn)能，三星半導(dǎo)體當(dāng)前已經(jīng)量產(chǎn)的14nmFinFET工藝與臺(tái)積電的16nmFinFET相當(dāng),其也將在今年底投產(chǎn)10nm工藝。此外，華為海思已與中國(guó)最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)中芯國(guó)際合作開發(fā)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，多條腿走路體現(xiàn)了華為高層的睿智當(dāng)然也體現(xiàn)了中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的無奈。

先進(jìn)制造工藝取得突破意義

中國(guó)最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)中芯國(guó)際發(fā)布的消息顯示，這家企業(yè)的14nmFinFET工藝預(yù)計(jì)在2018年投產(chǎn)，比原計(jì)劃的2020年提前了兩年，量產(chǎn)時(shí)間與臺(tái)積電在南京正在建設(shè)的半導(dǎo)體工廠于2018年投產(chǎn)16nmFinFET工藝的時(shí)間相近。

中芯國(guó)際當(dāng)前最先進(jìn)的工藝是28nmHKMG，相比起臺(tái)積電年底量產(chǎn)的10nm工藝落后不少，到2018年中芯國(guó)際量產(chǎn)14nmFinFET的時(shí)候，臺(tái)積電已投產(chǎn)7nm工藝，雖然依然落后但是這是一個(gè)長(zhǎng)足的進(jìn)步。

據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)目前全球前五大半導(dǎo)體代工廠分別是臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電、三星和中芯國(guó)際，格羅方德由于多種原因少有獲得中國(guó)這個(gè)正處于高速增長(zhǎng)勢(shì)頭的芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電和三星的半導(dǎo)體制造技術(shù)相當(dāng)、聯(lián)電和中芯國(guó)際的半導(dǎo)體制造工藝相當(dāng)，這四家代工企業(yè)都將目標(biāo)放在中國(guó)市場(chǎng)互相捉對(duì)廝殺。

聯(lián)電本來預(yù)計(jì)這兩年就要投產(chǎn)14nmFinFET工藝，并希望其在廈門的半導(dǎo)體代工廠能在今年底投產(chǎn)并引入28nm工藝，但是目前其14nmFinFET似乎進(jìn)展不順利，廈門半導(dǎo)體工廠的建設(shè)進(jìn)展似乎也有所延緩，如果到2018年其沒有量產(chǎn)10nm工藝導(dǎo)致廈門工廠不能引入14nmFinFET工藝的話那么聯(lián)電希望借助廈門工廠的先進(jìn)工藝與中芯國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的愿望就會(huì)落空（臺(tái)灣當(dāng)局要求聯(lián)電要在臺(tái)灣量產(chǎn)的工藝比廈門工廠領(lǐng)先一代）。

臺(tái)積電到2018年在南京工廠原計(jì)劃引入16nmFinFET工藝，這與中芯國(guó)際的14nmFinFET工藝相當(dāng)，臺(tái)積電南京工廠要想贏得大陸客戶的青睞要么是引入更先進(jìn)的10nm工藝（這個(gè)可能性很大，因?yàn)榕_(tái)積電預(yù)計(jì)明年就將量產(chǎn)7nm工藝），要么坐視中芯國(guó)際憑借本地化優(yōu)勢(shì)取得比它更多的客戶。

如果臺(tái)積電南京工廠引入更先進(jìn)的10nm工藝對(duì)于大陸芯片企業(yè)來說當(dāng)然是利好消息，它們可以就近獲得更先進(jìn)的工藝產(chǎn)能，畢竟將芯片轉(zhuǎn)入中國(guó)臺(tái)灣流片耗費(fèi)的資金和時(shí)間成本要遠(yuǎn)高于就近獲得服務(wù)。

從中芯國(guó)際的先進(jìn)工藝發(fā)展給聯(lián)電、臺(tái)積電帶來的壓力可以看出，中國(guó)要想擁有更先進(jìn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)首先需要自己發(fā)展先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，否則它們只會(huì)基于經(jīng)濟(jì)利益考慮優(yōu)先考慮蘋果等規(guī)模更大的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，導(dǎo)致中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)由于工藝落后而弱化競(jìng)爭(zhēng)力，華為海思的遭遇就是前車之鑒。

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