梁孟松加盟，中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體再獲強(qiáng)援

中芯國(guó)際作為國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)，在工藝研發(fā)方面一直努力追趕臺(tái)積電和聯(lián)電，而隨著中國(guó)大陸成為全球最大的芯片采購(gòu)市場(chǎng)并努力推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的發(fā)展，臺(tái)積電和聯(lián)電也開(kāi)始在中國(guó)大陸投資設(shè)廠，于是三家企業(yè)成為重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

中國(guó)大陸在2010年取代美國(guó)成為全球最大制造經(jīng)濟(jì)體，對(duì)全球經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生了重要影響，到了2015年中國(guó)大陸生產(chǎn)了全球超過(guò)八成的手機(jī)，超過(guò)六成的平板電腦和電視，成為全球最大消費(fèi)電子生產(chǎn)國(guó)，采購(gòu)的芯片占全球份額超過(guò)五成。

但是由于中國(guó)人工成本的上升迫使中國(guó)制造進(jìn)行產(chǎn)業(yè)升級(jí)，而芯片作為制造業(yè)的上游產(chǎn)業(yè)日益受到中國(guó)的重視，2014年中國(guó)推出了集成電路產(chǎn)業(yè)基金扶持中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，這加速了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

2015年全球芯片銷售額出現(xiàn)一定程度的下滑，而中國(guó)市場(chǎng)則繼續(xù)保持上升，加上各方的努力，中國(guó)本土芯片產(chǎn)業(yè)銷售額取得了高速的增長(zhǎng)。據(jù)估算2015年中國(guó)大陸芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷售額額達(dá)到1325億元，同比增長(zhǎng)26.5%，涌現(xiàn)了華為海思、清華紫光、中興微、瑞芯微、君正等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，其中華為海思、紫光旗下的展訊更躋身全球前十大芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。

在這樣的情況下，聯(lián)電、臺(tái)積電這兩大全球半導(dǎo)體代工廠開(kāi)始強(qiáng)化進(jìn)軍中國(guó)大陸，在中國(guó)大陸建設(shè)更先進(jìn)的12寸半導(dǎo)體工廠，希望就近為中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供服務(wù)以獲得它們的支持，這就與中國(guó)大陸本土最大的半導(dǎo)體工廠中芯國(guó)際形成了競(jìng)爭(zhēng)。

目前中芯國(guó)際是中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體代工廠，擁有最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，今年7月剛剛量產(chǎn)28nmHKMG工藝，為了獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)決心研發(fā)14nmFinFET工藝，并且希望趕在2018年投產(chǎn)以與臺(tái)積電和聯(lián)電競(jìng)爭(zhēng)。

聯(lián)電在廈門建設(shè)的12寸半導(dǎo)體工廠已投入量產(chǎn)，不過(guò)由于它的14nm工藝進(jìn)展未如預(yù)期，由于臺(tái)灣當(dāng)局要求臺(tái)積電和聯(lián)電在臺(tái)灣量產(chǎn)的工藝要領(lǐng)先它們?cè)诖箨懲懂a(chǎn)的工藝一個(gè)世代，因此聯(lián)電未能如愿在廈門工廠投產(chǎn)28nm工藝而只能采用40nm工藝，即使明年其在臺(tái)灣正式量產(chǎn)14nmFinFET工藝然后在廈門工廠引入28nm工藝，但是中芯國(guó)際的28nmHKMG已相當(dāng)成熟受到的影響應(yīng)該不大。

臺(tái)積電本已有上海松江廠，不過(guò)那是8寸半導(dǎo)體工廠，今年剛剛確定將在南京建設(shè)12寸半導(dǎo)體工廠，并且預(yù)計(jì)在2018年量產(chǎn)采用16nmFinFET工藝，這對(duì)中芯國(guó)際是最大的威脅。

正是因?yàn)槿绱?，中芯?guó)際需要力保它在2018年投產(chǎn)14nmFinFET，以確保工藝技術(shù)不落后于臺(tái)積電的南京工廠和領(lǐng)先于聯(lián)電的廈門工廠，為了實(shí)現(xiàn)計(jì)劃中芯國(guó)際與高通、華為海思、IMEC都達(dá)成了合作開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，早前引入了臺(tái)積電前執(zhí)行長(zhǎng)蔣尚義，這次再獲得前臺(tái)積電FinFET工藝專家梁孟松加盟無(wú)疑是如虎添翼。

蔣尚義曾負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電的28nm、20nm和16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)，梁孟松則是臺(tái)積電的技術(shù)研發(fā)的重要干將，參與研發(fā)FinFET工藝長(zhǎng)達(dá)10年之久更是該工藝的相關(guān)專利發(fā)明人，據(jù)說(shuō)三星的14nmFinFET工藝之所以能趕在臺(tái)積電前量產(chǎn)就是因?yàn)榱好纤傻膸椭?/p>

FinFET工藝對(duì)于20nm以下工藝極其重要，早在2014年臺(tái)積電即已研發(fā)出16nm工藝，不過(guò)該工藝的能效甚至還不如當(dāng)時(shí)量產(chǎn)的20nm導(dǎo)致各方客戶不愿采用，僅獲得了華為海思等兩個(gè)客戶，而華為海思也只是采用該工藝生產(chǎn)網(wǎng)通芯片而不是用于生產(chǎn)對(duì)能效要求較高的手機(jī)芯片，直到去年三季度臺(tái)積電將FinFET工藝引入才讓其16nmFinFET大幅度提升了能效，贏得蘋果、華為海思、聯(lián)發(fā)科等眾多客戶的采用。

由此足可見(jiàn)，兩位猛將在工藝方面擁有的強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力，而從臺(tái)積電的16nmFinFET工藝研發(fā)遭遇的波折也證明了這一工藝開(kāi)發(fā)的難度較大，他們的加入無(wú)疑可以為中芯國(guó)際的14nmFinFET于2018年量產(chǎn)提供更有力的保證。

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