雖然忙于 Elpida 的競爭行列中，但對于下一代存儲器的開發(fā)并未停止。
透過新聞稿正式宣布該公司首個DDR4 DRAM 模塊已經開發(fā)完成，同時已經開始提供樣品讓主要客戶進行測試，預計2013年將能夠開始量產。
根據(jù) JEDEC 的規(guī)劃，企業(yè)端以及服務器市場將會率先使用 DDR4 存儲器模塊，它將比目前的 DDR3 存儲器擁有更高的工作時脈卻使用較低的電壓。此次 Micron 所宣布的 DDR4 存儲器模塊是與 Nanya 基于 30nm 制程偕同開發(fā)。在單挑存儲器模塊內，擁有 8 顆 4Gbit DDR4 顆粒，同時將會涵蓋了 RDIMMs、LRDIMMs、3DS、SODIMMs 以及 UDIMMs （一般和ECC） 等存儲器模塊。
傳輸速率部份可達 2400 – 3200 MT/s.
在 JEDEC 正式對 DDR4 標準制定完成之后，Micron 預期在 2012 年底進入大量生產階段。
免責聲明：本網站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網站中的網頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。
