北京時間6月2日早間消息（蔣均牧）三星開始在韓國的一家工廠建造第二條閃存生產(chǎn)線，以跟上中長期因人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和5G技術廣泛應用所驅動的需求增長。
該公司計劃于2021年下半年在首爾以南70公里的平澤（Pyeongtaek）大規(guī)模生產(chǎn)其最新的V-NAND芯片。據(jù)韓聯(lián)社報道，盡管它并未透露擴大產(chǎn)能的投資規(guī)模，但消息人士估計總額約為8萬億韓元（C114注：約合65億美元）。
三星電子存儲器全球銷售與市場部執(zhí)行副總裁Choi Cheol在一份聲明中表示：“新的投資重申了我們保持在內(nèi)存技術領域無可爭議的領先地位的承諾，即使在不確定的時期（任然如此）。”
三星是世界上最大的閃存制造商。
今年3月中旬，該公司在中國西安的工廠開始大規(guī)模生產(chǎn)第五代V-NAND，以滿足旗艦和高端智能手機市場的需求。新的512GB閃存單元的寫入速度超過1.2GB/s，比之前的版本提高了三倍。
當時，三星表示，計劃將平澤工廠的V-NAND生產(chǎn)從第五代切換到第六代，以更好地應對不斷增長的需求。
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