信通院謝俊杰:400G時(shí)代硅光難言顛覆

6月21日消息(南山)在日前舉辦的中國光網(wǎng)絡(luò)大會(huì)上,中國信息通信研究院技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究所工程師謝俊杰女士發(fā)表演講時(shí),談到了硅光子技術(shù)當(dāng)前的應(yīng)用和發(fā)展。

謝俊杰指出,硅光子除在通信電子領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景,在光伏能源、自動(dòng)控制、航空航天中均有重要作用。在通信領(lǐng)域,Intel、Luxtera等公司的短距離100G硅光模塊已經(jīng)大規(guī)模出貨,并占據(jù)相當(dāng)?shù)氖袌龇蓊~。但在長距離(2km及以上)、良率較低的情況下,100G硅光模塊的成本優(yōu)勢(shì)不明顯。

當(dāng)前400G光模塊時(shí)代,硅光方案由于節(jié)省合分波等器件以及CMOS工藝帶來集成度的提升,較傳統(tǒng)方案的潛在優(yōu)勢(shì)明顯,但硅光仍面臨晶圓良率提升難度大的問題。對(duì)于500m以內(nèi)的短距離傳輸,硅光模塊有比較明顯的優(yōu)勢(shì),對(duì)于傳輸距離超過500m的情形,傳統(tǒng)方案或?qū)⒗^續(xù)保持性能與成本優(yōu)勢(shì)。總體來看,400G時(shí)代,硅光和傳統(tǒng)方案或在更大范圍的應(yīng)用場景并存,但難言顛覆。

從具體的產(chǎn)品看,400G DR4也是400G時(shí)代硅光首個(gè)突破的產(chǎn)品。

硅光芯片需要在硅基集成III-V族化合物材料,兩種材料的兼容性相對(duì)差決定了硅光晶圓良率低,已經(jīng)成為制約硅光模塊良率提升的主要瓶頸。另外,由于硅光損耗較大,長距離傳輸滿足標(biāo)準(zhǔn)損耗區(qū)間難度大,成為制約硅光模塊應(yīng)用范圍拓展的主要瓶頸。

市場研究公司yole的報(bào)告顯示,2021年硅光技術(shù)應(yīng)用新增了CPO場景,并且年復(fù)增長率達(dá)到321%。謝俊杰表示,可能在通信領(lǐng)域,CPO才是硅光更大的戰(zhàn)場。而CPO和硅光強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,也必將開辟出光模塊的新紀(jì)元。

極客網(wǎng)企業(yè)會(huì)員

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2021-06-21
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