楊富華：十年為期 我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條進(jìn)入世界先進(jìn)行列

8月9日消息（樂(lè)思）2022世界5G大會(huì)即將于8月10日-12日在黑龍江哈爾濱啟幕。在今日舉行的“半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新研討會(huì)”上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長(zhǎng)兼秘書(shū)長(zhǎng)楊富華發(fā)表了主題為《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展戰(zhàn)略》的演講。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是新的地緣政治下全球競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，是國(guó)家高技術(shù)實(shí)力、經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防能力、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的主要標(biāo)志。也是美國(guó)對(duì)中國(guó)科技全面打壓的重點(diǎn)，面臨著技術(shù)封鎖和貿(mào)易禁令升級(jí)，全球進(jìn)入“芯片荒”。美日政府對(duì)此加大投入，完善全產(chǎn)業(yè)鏈布局和供應(yīng)鏈的控制權(quán)。

楊富華認(rèn)為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量的發(fā)展需要部署決戰(zhàn)未來(lái)，關(guān)系全局、影響深遠(yuǎn)、是戰(zhàn)略必爭(zhēng)的高技術(shù)領(lǐng)域，需要認(rèn)清差距、防范風(fēng)險(xiǎn)，保障全鏈條產(chǎn)業(yè)安全。

目前，半導(dǎo)體新材料正在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新格局。新材料驅(qū)動(dòng)著半導(dǎo)體發(fā)展新戰(zhàn)略。一方面超越摩爾技術(shù)，搶占制高點(diǎn)。比如功率電子、射頻電子、光電子材料等領(lǐng)域達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，面向重大需求實(shí)現(xiàn)信息、能源、交通、國(guó)防等領(lǐng)域的自主保障。另一方面，在后摩爾技術(shù)，超前布局，發(fā)展出數(shù)種國(guó)際領(lǐng)先的低維和量子材料。目前，我國(guó)已經(jīng)形成了在部分領(lǐng)域?qū)γ绹?guó)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)制衡。

然而，當(dāng)前全球面臨“芯片荒”，比如汽車(chē)半導(dǎo)體、手機(jī)芯片等一片難求，美國(guó)、歐盟、日本都加大投入，龍頭企業(yè)不斷完善全產(chǎn)業(yè)鏈布局，以提高未來(lái)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的話語(yǔ)權(quán)和供應(yīng)鏈的控制權(quán)。全球第三代半導(dǎo)體仍然由美歐日企業(yè)主導(dǎo)，美國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家通過(guò)設(shè)立國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等形式，引領(lǐng)、加速并搶占全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。龍頭企業(yè)不斷完善全產(chǎn)業(yè)鏈布局，通過(guò)對(duì)上下游企業(yè)并購(gòu)和深度合作，提升競(jìng)爭(zhēng)力，形成產(chǎn)業(yè)鏈整合趨勢(shì)。

近年來(lái)，我國(guó)技術(shù)實(shí)力提升，市場(chǎng)快速啟動(dòng)，產(chǎn)業(yè)鏈初步形成。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)值為7900億元，具備了全創(chuàng)新鏈的研發(fā)能力，初步形成了從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈。但楊富華指出，整體競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)，特別是核心材料和關(guān)鍵裝備成為瓶頸，未來(lái)5年市場(chǎng)增速超過(guò)40%，新能源企業(yè)、5G通信等領(lǐng)域啟動(dòng)規(guī)模應(yīng)用。

整體來(lái)看，主要是應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)快速發(fā)展。2021年我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子兩個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值達(dá)到127億元，較2020年增長(zhǎng)20.4%。SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)到58億元，同比增長(zhǎng)29.6%。GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到69億元，同比增長(zhǎng)13.5%。

我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

目前，我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)戰(zhàn)略機(jī)遇期。全球最大市場(chǎng)已經(jīng)啟動(dòng)（新型電力系統(tǒng)、高鐵、新能源企業(yè)、5G/6G通信、半導(dǎo)體照明以及超越照明、工業(yè)電機(jī)及消費(fèi)電子市場(chǎng)等），應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。同時(shí)，具備20年技術(shù)儲(chǔ)備，單項(xiàng)冠軍（黃綠光LED），但國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專(zhuān)利，標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的壟斷，與國(guó)家先進(jìn)水平差距不大，有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)超越。

此外，與集成電路相比，投資門(mén)檻不高，對(duì)工藝尺寸線寬、設(shè)計(jì)復(fù)雜度、裝備精密制造要求相對(duì)低。最為重要的是，中國(guó)精密加工制造技術(shù)和配套能力的迅速進(jìn)步，特別是有01、02專(zhuān)項(xiàng)的技術(shù)，具備開(kāi)發(fā)并逐步主導(dǎo)該產(chǎn)業(yè)的能力和條件。

然而，在楊富華看來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還面臨五點(diǎn)挑戰(zhàn)：一是材料瓶頸。缺乏產(chǎn)業(yè)級(jí)和規(guī)模的先進(jìn)材料研發(fā)，碳化硅籽晶和單晶生長(zhǎng)工藝控制技術(shù)和國(guó)家有5年左右的差距。二是芯片代差。介質(zhì)材料、高溫高能量等工藝不成熟，芯片制造能力弱，產(chǎn)能不足，良率低，成本高，可靠性差。三是應(yīng)用迭代不足。芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用的匹配性不夠，上下游聯(lián)動(dòng)迭代不夠，在系統(tǒng)中成本占比低，性能和可靠性要求高，國(guó)產(chǎn)進(jìn)入應(yīng)用供應(yīng)鏈難度大、周期廠、產(chǎn)業(yè)化能力提升慢。四是裝備進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)裝備以仿制為主，原型樣機(jī)階段，技術(shù)引領(lǐng)性不足，仍處于跟跑狀態(tài)，檢測(cè)設(shè)備基本全部依賴進(jìn)口。五是人才緊缺，各層次人才規(guī)模不夠，高端和戰(zhàn)略性人才緊缺，面臨國(guó)際技術(shù)禁運(yùn)和封鎖。

他表示，在“十四五”國(guó)際科技計(jì)劃下，統(tǒng)籌規(guī)劃，最終形成發(fā)展合力。國(guó)家重要研發(fā)計(jì)劃指出，以寬禁帶半導(dǎo)體為主，主要布局眼前卡脖子問(wèn)題，解決核心產(chǎn)品的進(jìn)口替代。2030重大項(xiàng)目中指出，以新材料驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展新戰(zhàn)略、超前布局，搶占未來(lái)制高點(diǎn)，構(gòu)建全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新格局。圍繞國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心建設(shè)任務(wù)，科技創(chuàng)新2030重點(diǎn)新材料專(zhuān)項(xiàng)，示范工程推廣，協(xié)同部署研發(fā)鏈、產(chǎn)業(yè)鏈和資本鏈。

楊富華透露，我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)是——十年全鏈條進(jìn)入世界先進(jìn)行列。2025年解決燃眉之急，其中5G高頻毫米波頻段電子期間國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到80%；實(shí)現(xiàn)功率電子材料和器件在高鐵、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等規(guī)模應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)光健康、光生物、通信顯示等領(lǐng)域國(guó)際創(chuàng)新引領(lǐng)。以及，發(fā)展初數(shù)種國(guó)際先進(jìn)水平的地維和量子材料。

預(yù)計(jì)在2030年形成發(fā)展優(yōu)勢(shì)。建立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體新材料技術(shù)和人才保障體系，功率電子、射頻電子、光電子材料等領(lǐng)域達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，發(fā)展出數(shù)種國(guó)際領(lǐng)先的低維與量子材料，實(shí)現(xiàn)信息、能源、交通、國(guó)防等領(lǐng)域的自主保障，形成對(duì)美國(guó)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)制衡；引領(lǐng)遠(yuǎn)海風(fēng)電等國(guó)際特高壓輸變電技術(shù)原始創(chuàng)新，國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。實(shí)現(xiàn)高鐵、新能源汽車(chē)用功率半導(dǎo)體自主可控，國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。搶占6G通信制高點(diǎn)，領(lǐng)先美國(guó)進(jìn)入太赫茲萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代；高端原材料和核心裝備國(guó)產(chǎn)化率80%。產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)形成5家世界級(jí)龍頭企業(yè)，全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列新增產(chǎn)值超2000億，帶動(dòng)產(chǎn)值5.7萬(wàn)億，年節(jié)電1.5萬(wàn)億度，減少碳排放11.8億噸。

在演講最后，楊富華介紹了我國(guó)半導(dǎo)體整體發(fā)展愿景——建立協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)。一是建立目標(biāo)明確、權(quán)責(zé)清晰、體系化任務(wù)型的產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)合體，加快迭代研發(fā)，打通產(chǎn)業(yè)鏈條，實(shí)現(xiàn)核心關(guān)鍵產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

二是建設(shè)開(kāi)放、高水平的專(zhuān)業(yè)化國(guó)家級(jí)平臺(tái)，加強(qiáng)基礎(chǔ)材料、設(shè)計(jì)、工藝、裝備、封測(cè)、標(biāo)準(zhǔn)等國(guó)家體系化能力建設(shè)。

三是探索構(gòu)建科技金融網(wǎng)鏈，下游反哺上游方式帶動(dòng)杜會(huì)資本，探索平臺(tái)+孵化器+基金+基地以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的合作新模式。四是加強(qiáng)精準(zhǔn)的國(guó)際與區(qū)域合作，推進(jìn)政府間合作框架下的項(xiàng)目合作與平臺(tái)建設(shè)，開(kāi)展常態(tài)化海外項(xiàng)目輸送與技術(shù)轉(zhuǎn)移。

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