中國(guó)先進(jìn)芯片取得突破，臺(tái)積電突獲無(wú)限期豁免，壓制中國(guó)芯

5月23日臺(tái)積電突然宣布，美國(guó)商務(wù)部已給予臺(tái)積電南京工廠(chǎng)“無(wú)限期豁免”，即是允許臺(tái)積電南京工廠(chǎng)購(gòu)買(mǎi)海外的先進(jìn)光刻機(jī)等設(shè)備，此舉被認(rèn)為意在壓制中國(guó)芯片。

2020年臺(tái)積電被迫暫停為中國(guó)一家芯片企業(yè)代工生產(chǎn)芯片，從那之后多家中國(guó)芯片企業(yè)無(wú)法將芯片交給臺(tái)積電以7納米以及更先進(jìn)工藝生產(chǎn)。

3年后的2023年中國(guó)這家芯片企業(yè)成功生產(chǎn)出接近7納米工藝的5G芯片，重新推出5G手機(jī)，這意味著中國(guó)芯片已解決了先進(jìn)工藝的技術(shù)問(wèn)題，以現(xiàn)有的光刻機(jī)生產(chǎn)出接近7納米的工藝。

如此美國(guó)試圖壓制中國(guó)先進(jìn)芯片的發(fā)展已經(jīng)失敗，面對(duì)中國(guó)芯片的發(fā)展，美國(guó)允許臺(tái)積電南京工廠(chǎng)購(gòu)買(mǎi)先進(jìn)光刻機(jī)等設(shè)備，無(wú)疑就是為了借臺(tái)積電之手，壓制中國(guó)芯片制造技術(shù)的發(fā)展。

臺(tái)積電擁有最先進(jìn)的工藝，目前已經(jīng)量產(chǎn)3納米，但是此前臺(tái)積電南京工廠(chǎng)的最先進(jìn)工藝僅為16納米，遠(yuǎn)比臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣的工廠(chǎng)落后，如此就導(dǎo)致中國(guó)的芯片企業(yè)大多將訂單交給中國(guó)大陸的芯片制造企業(yè)。

中國(guó)大陸的芯片制造企業(yè)獲得了更多收入，就有了更多資金研發(fā)先進(jìn)工藝，這幾年中國(guó)的芯片制造企業(yè)從全球獵挖人才，其中臺(tái)積電前技術(shù)負(fù)責(zé)人梁孟松就已在中芯國(guó)際擔(dān)任聯(lián)席CEO，加快了中國(guó)芯片制造技術(shù)的發(fā)展。

此時(shí)美國(guó)允許臺(tái)積電南京工廠(chǎng)購(gòu)買(mǎi)先進(jìn)光刻機(jī)等設(shè)備，臺(tái)積電南京工廠(chǎng)可望迅速量產(chǎn)7納米等先進(jìn)工藝，由于臺(tái)積電的7納米工藝更成熟、技術(shù)更先進(jìn)，如此可以搶走中國(guó)大陸芯片企業(yè)的訂單，減緩中國(guó)芯片制造技術(shù)的發(fā)展。

如此做法，在存儲(chǔ)芯片行業(yè)就曾做過(guò)，并取得了成功。2022年中國(guó)的存儲(chǔ)芯片率先量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層NAND flash，隨后美國(guó)限制這些存儲(chǔ)芯片企業(yè)采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備，同時(shí)允許三星和SK海力士在中國(guó)大陸的工廠(chǎng)采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備。

一年時(shí)間過(guò)去，2023年三星和SK海力士量產(chǎn)了更先進(jìn)的300層NAND flash芯片，而中國(guó)的存儲(chǔ)芯片還停留在232層，由此三星、SK海力士和美光等取得了存儲(chǔ)芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而且他們本來(lái)就在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有七成以上的份額，技術(shù)和市場(chǎng)的雙重壓制，讓中國(guó)存儲(chǔ)芯片承受了巨大的壓力。

如今在芯片制造方面，美國(guó)的做法無(wú)疑是故技重施，即是讓臺(tái)積電在中國(guó)大陸的工廠(chǎng)量產(chǎn)更先進(jìn)的工藝，搶走中國(guó)芯片的訂單，讓中國(guó)大陸的芯片企業(yè)獲得的收入減少，自然就會(huì)放緩芯片制造技術(shù)的發(fā)展。

不過(guò)有了此前的教訓(xùn)，美國(guó)的圖謀恐怕很難實(shí)現(xiàn)，中國(guó)芯片行業(yè)已深刻認(rèn)識(shí)到臺(tái)積電的不可靠，只有中國(guó)大陸自己的芯片制造企業(yè)才更可信，即使臺(tái)積電南京工廠(chǎng)量產(chǎn)更先進(jìn)的工藝，恐怕臺(tái)積電也很難取得太多的訂單，中國(guó)的芯片企業(yè)只會(huì)更加齊心協(xié)力，共同發(fā)展。

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