美國和韓國存儲芯片太貪婪，價格暴漲四成，收割中國制造近3000億

市調(diào)機構(gòu)TrendForce指出今年一季度全球存儲芯片暴漲超兩成，預估今年二季度再漲近兩成，如此今年上半年全球存儲芯片價格將暴漲四成，美國和韓國的存儲芯片將是最大受益者，而中國制造將為此多付近3000億元人民幣。

韓國為全球最大的存儲芯片生產(chǎn)國，三星占有四成多的市場份額，SK海力士則占有兩成多的市場份額，兩者合計占有近七成的市場份額；美國的美光則是全球第三大存儲芯片企業(yè)，占有一成多的市場份額。

這一輪存儲芯片漲價，已讓這幾家存儲芯片企業(yè)獲益巨大，三星和SK海力士都取得了業(yè)績的倍速增長，美光則扭虧為盈，可以看出存儲芯片漲價給他們帶來多大的好處。

美韓芯片取得了更多利益，付出代價的則是中國制造，中國每年進口的存儲芯片金額高達1000億美元，如此情況下，存儲芯片價格上漲四成，中國就得多付出400億美元，接近3000億元人民幣。

這輪存儲芯片價格上漲，被認為有人為操縱的嫌疑，美國芯片聯(lián)手炒高存儲芯片價格，而采購存儲芯片數(shù)量最多的中國制造則成為他們的收割的目標，美韓芯片的做法勢必促使中國加強存儲芯片的發(fā)展，避免一再受制于人。

在2021年到2022年的時候，中國存儲芯片曾飛速發(fā)展，中國存儲芯片量產(chǎn)了全球最先進的232層NAND flash存儲芯片，并且中國兩家存儲芯片企業(yè)還推進產(chǎn)能增加兩倍的二期工程，由此導致存儲芯片價格暴跌。

當時存儲芯片價格一度腰斬，這為中國制造節(jié)省了大量外匯，就在中國存儲芯片打算進一步發(fā)展的時候，美國卻突然對中國存儲芯片行業(yè)采取措施，阻止全球先進的芯片設(shè)備和材料供應給這兩家存儲芯片企業(yè)，導致這兩家存儲芯片企業(yè)的技術(shù)發(fā)展陷入停滯。

2023年三星、美光等成功量產(chǎn)300層NAND flash存儲芯片，而中國存儲芯片仍然停留在232層，并且中國芯片占有的份額僅有4%左右，市場壟斷和技術(shù)優(yōu)勢，讓美韓芯片再次掌握了話語權(quán)，他們開始推動存儲芯片價格的上漲。

美韓芯片操縱存儲芯片價格是有前例的，多年之前三星就曾因為操縱存儲芯片價格導致被美國罰款數(shù)億美元，早幾年韓國存儲芯片企業(yè)又是以洪水、火災等為由指出供應減少，推動存儲芯片價格持續(xù)飆漲，如今存儲芯片再度上漲，就不免讓人猜想他們故技重施，目的自然是為了從中國制造身上賺更多錢錢，這對于美國來說當然是樂于看見的事情。

這就說明中國芯片需要加強自主研發(fā)，只有我們的存儲芯片技術(shù)足夠強、產(chǎn)能上去了，可以替代美韓的存儲芯片，那么美韓的存儲芯片將無法再如今天這樣，隨他們漲價。相比起其他芯片，存儲芯片都是用10納米以上工藝，對先進工藝要求不高，隨著國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，中國存儲芯片必將實現(xiàn)獨立自主的目標，為中國制造提供有力支持。

5G射頻芯片和模擬芯片就是如此，隨著中國芯片打破這些芯片的空白，美國芯片企業(yè)德州儀器不得不降價九成，大量芯片還成為庫存而在倉庫蒙塵，相信中國芯片行業(yè)的努力，中國存儲芯片必將走出獨立自主發(fā)展的道路。

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