美國(guó)力求在芯片制造方面重奪全球牛耳,為此美國(guó)給錢給資源扶持美國(guó)本土芯片龍頭Intel,不過(guò)日前外媒傳出對(duì)美國(guó)芯片行業(yè)不利的消息,指Intel的1.8納米工藝生產(chǎn)遭遇難題,良率低至一成,生產(chǎn)的芯片10顆壞9顆。
導(dǎo)致Intel的1.8納米出現(xiàn)如此重大問(wèn)題,可能在于Intel同時(shí)采用了多項(xiàng)技術(shù)所致,Intel為全球首家采用2納米EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片的廠商,而在1.8納米工藝上又采用了全新的Nanosheet技術(shù),多項(xiàng)技術(shù)同時(shí)采用導(dǎo)致Intel的芯片良率超低。
對(duì)于2納米EUV光刻機(jī),美國(guó)是刻意扶持Intel了,在美國(guó)的壓力下,光刻機(jī)巨頭ASML將今年量產(chǎn)的10臺(tái)2納米EUV光刻機(jī)中的6臺(tái)給了Intel,可以看出美國(guó)對(duì)Intel的偏袒。
這對(duì)于Intel來(lái)說(shuō)固然是利好,不過(guò)對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)卻未必是壞事,當(dāng)年研發(fā)7納米的時(shí)候,由于技術(shù)難度太大,臺(tái)積電就沒(méi)有在7納米工藝上采用第一代EUV光刻機(jī),而是用原來(lái)的DUV光刻機(jī)開(kāi)發(fā)出第一代7納米,結(jié)果是率先引入第一代EUV光刻機(jī)的三星量產(chǎn)7納米落后了。
2納米EUV光刻機(jī)的技術(shù)難度就更大了,Intel率先引入將可能面臨著許多技術(shù)難題,臺(tái)積電讓Intel率先嘗試,而自己留下時(shí)間來(lái)吃透2納米EUV光刻機(jī),然后再導(dǎo)入生產(chǎn)線,反而可能再次實(shí)現(xiàn)后來(lái)者居上。
至于在先進(jìn)工藝上引入全新的技術(shù),臺(tái)積電和三星同樣較量過(guò)。在3納米工藝上,臺(tái)積電仍然采取了保守的策略,繼續(xù)用FinFET技術(shù),而三星為了在3納米工藝上徹底超越臺(tái)積電,再次率先采用全新的GAA技術(shù),結(jié)果臺(tái)積電的3納米工藝良率達(dá)到55%,而三星的3納米如今也只有20%左右。
原因就在于先進(jìn)工藝面臨的變數(shù)太多,同時(shí)引入多項(xiàng)技術(shù)和新設(shè)備,可能導(dǎo)致芯片制造企業(yè)面臨太多技術(shù)困難,最終是哪個(gè)都沒(méi)搞好,將生產(chǎn)技術(shù)變成夾生飯,從第一代EUV光刻機(jī)和GAA技術(shù)的引入都可以看出三星得到教訓(xùn)。
相比起臺(tái)積電和三星,Intel從2014年量產(chǎn)14納米工藝之后,在技術(shù)研發(fā)進(jìn)展方面就一直落后,可以說(shuō)芯片制造技術(shù)方面甚至還不如三星,如此情況下Intel如此激進(jìn)地同時(shí)采用全新的2納米EUV光刻機(jī)以及Nanosheet技術(shù),非常可能導(dǎo)致1.8納米良率低至如此地步。
如今的Intel也正處于風(fēng)雨飄搖之中,近幾年來(lái)不時(shí)出現(xiàn)虧損,今年以來(lái)更是連續(xù)三個(gè)季度虧損,連連的虧損以及市場(chǎng)被AMD搶走,導(dǎo)致CEO基辛格已在近期被董事會(huì)迫使退休,人心動(dòng)蕩之下,Intel的開(kāi)發(fā)技術(shù)難度極高的1.8納米更有可能出現(xiàn)問(wèn)題。
Intel開(kāi)發(fā)1.8納米出現(xiàn)問(wèn)題,不僅僅是Intel自身的損失,更是整個(gè)美國(guó)芯片行業(yè)的損失,代表著美國(guó)芯片試圖掌控芯片牛耳的圖謀失敗了,美國(guó)傾力扶持Intel,結(jié)果得到的是如此結(jié)果,未來(lái)美國(guó)芯片行業(yè)將更加依賴臺(tái)積電。
美國(guó)芯片遭受挫折,臺(tái)積電可不會(huì)坐視機(jī)會(huì),據(jù)悉臺(tái)積電已提出要求提高芯片代工價(jià)格一成,面對(duì)美國(guó)遭受的挫折,美國(guó)芯片普遍無(wú)奈接受,臺(tái)積電也日益成為芯片行業(yè)的贏家,凈利潤(rùn)率已超過(guò)四成,這樣的利潤(rùn)率水平比美國(guó)許多強(qiáng)大的科技企業(yè)都要高得多。
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